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H 電學
H01 基本電氣元件
H01S 利用受激發射之裝置
H01S 1/00微波激射器，即利用受激發射對波長較紅外射線長的電磁波進行產生、放大、調制、解調或變頻之裝置
H01S 1/02固體者
H01S 1/04液體者
H01S 1/06氣體者
H01S 3/00雷射器，即利用受激發射對紅外光、可見光或紫外線進行產生，放大、調制、解調或變頻之裝置（半導體雷射見5/00） [1,8]
H01S 3/02結構零部件
H01S 3/03氣體雷射器放電管者 [2]
H01S 3/032用於限制放電者，例如利用放電管之專門特性 [5]
H01S 3/034氣體雷射管內之光學裝置或構件，例如窗口，鏡片（對諧振腔之初始調節具有可變性能或位置之反射鏡見3/086）[5]
H01S 3/036氣體雷射放射管內取得或保持所需氣體壓力之方法，例如，利用吸氣劑，為平衡管內之壓力（氣體雷射器之冷卻裝置見3/041；氣動雷射器見3/0979）[5]
H01S 3/038電極，例如特殊的形狀，結構或配置 [5]
H01S 3/04冷卻裝置
H01S 3/041用於氣體雷射器者 [5]
H01S 3/042用於固體雷射器者 [5]
H01S 3/05光學諧振器之結構或形狀；包括激勵介質之調節；激勵介質之形狀
H01S 3/06激勵介質之結構或形狀
H01S 3/063波導雷射，如雷射放大器 [7]
H01S 3/067纖維雷射 [7]
H01S 3/07由多個部件組成者，如斷片（3/067優先）[2,7]
H01S 3/08光學諧振器或其部件之結構或形狀 [2]
H01S 3/081有兩個以上反射器者 [2]
H01S 3/082多個諧振器，例如用於模式之選擇 [2]
H01S 3/083環行雷射器（雷射陀螺測試儀見G01C19/66）[2]
H01S 3/086用於對諧振器進行起始調節之具有可變性能或位置之一個或多個反射器（於工作時改變雷射器輸出參數者見3/10；雷射器輸出之穩定見3/13）[2]
H01S 3/09激勵之方法或裝置，例如泵激勵
H01S 3/091應用光泵者 [2]
H01S 3/0915利用非相干光 [5]
H01S 3/092閃光燈者（3/0937優先）[2,5]
H01S 3/093將激勵能引入或聚集於激勵介質內 [2,5]
H01S 3/0933半導體，如發光二極管者[2,5]
H01S 3/0937利用爆炸或易燃材料產生者 [5]
H01S 3/094利用相干光 [2]
H01S 3/0941半導體雷射的，例如雷射二極體 [6]
H01S 3/0943氣體雷射器者 [5]
H01S 3/0947有機染料雷射器者 [5]
H01S 3/095應用化學泵或熱泵者 [2]
H01S 3/0951經由增加雷射器氣體介質之壓力 [5]
H01S 3/0953氣動雷射器，即利用雷射氣體介質膨脹至超音氣流速度 [5]
H01S 3/0955利用高能粒子之泵浦 [5]
H01S 3/0957經由過高能核粒子 [5]
H01S 3/0959通過電子束 [5]
H01S 3/097通過氣體雷射器之氣體放電[2]
H01S 3/0971橫向激勵者（3/0975優先）[5]
H01S 3/0973具有行波通過雷射介質[5]
H01S 3/0975利用電感或電容激勵 [5]
H01S 3/0977具有輔助電離裝置 [5]
H01S 3/0979氣動雷射器，即利用將氣體雷射介質膨脹至超音氣流速度 [5]
H01S 3/098模式鎖定；模式抑制（應用多個諧振器之模式抑制見3/082）[2]
H01S 3/10控制輻射之強度、頻率、相位、極化或方向，例如開關、閘通、調制或解調（模式鎖定見3/098；一般的光束之控制、變頻、非線性光學、光邏輯元件見G02F）[2]
H01S 3/101雷射器，具有改變雷射發射之位置與方向之裝置（一般的光掃描系統見G02B 26/10；光電，光磁或光聲之偏轉部件或裝置見G02F 1/29）[2]
H01S 3/102由控制激勵媒質，例如經由控制激勵之方法或設備（3/13優先）[4]
H01S 3/104於氣體雷射器內 [4]
H01S 3/105由控制腔之反射器之相互位置或反射性能（3/13優先）[4]
H01S 3/1055反射器之一係由繞射光柵構成者 [4]
H01S 3/106由控制安置於腔內一個元件（3/13優先）[4]
H01S 3/107應用一個光電元件，例如呈現波克耳效應或克爾效應者 [4]
H01S 3/108應用一個非線性光學元件，例如呈現布里完散射或拉曼散射者 [4]
H01S 3/109倍頻，例如諧波之產生[4]
H01S 3/11其中光諧振器之品質因數迅速改變者，即巨脈衝技術者
H01S 3/113應用漂白或負光感介質者[2]
H01S 3/115應用一個電光裝置者 [4]
H01S 3/117應用一個聲光裝置者 [4]
H01S 3/121應用一個機械裝置者 [4]
H01S 3/123旋轉鏡 [4]
H01S 3/125旋轉稜鏡 [4]
H01S 3/127使用多個Q開關者 [4]
H01S 3/13雷射器輸出參數，例如頻率、幅度之穩定 [2]
H01S 3/131由控制激勵手段，例如控制激勵方法或設備 [4]
H01S 3/134於氣體雷射器內 [4]
H01S 3/136由控制安置於腔內之一個裝置 [4]
H01S 3/137用於穩定頻率者 [4]
H01S 3/139由控制腔的反射器之相互位置或反射器之反射性能 [4]
H01S 3/14按所用激勵介質之材料而區分者
H01S 3/16固體材料
H01S 3/17非晶體者，例如玻璃 [2]
H01S 3/20液體者
H01S 3/207包括一種螯合物者 [5]
H01S 3/213包括一種有機染料者 [5]
H01S 3/22氣體者
H01S 3/223雷射氣體係多原子者，即含有一個原子以上者（3/227優先）[2,5]
H01S 3/225包括一種激發物或激態複合物 [5]
H01S 3/227金屬蒸汽 [5]
H01S 3/23在3/02至3/14各目中未提供的兩個或多個雷射裝置，如分離活動介質的串聯裝置（僅包含半導體雷射者見5/40）[2,7,8]
H01S 3/30應用散射效應者，例如受激布里淵效應或拉曼效應 [2]
H01S 4/00不包括於1/00，3/00或5/00各目內，應用受激發射波能之裝置，如聲子激發器、γ射線激射器
H01S 5/00半導體雷射 [7]
H01S 5/02對雷射作用無重大意義的結構零件或組件 [7]
H01S 5/022安裝；外殼 [7]
H01S 5/024冷卻裝置 [7]
H01S 5/026整體集成元件，如導波、監測光探測器、激勵器（輸出穩定見5/06；光導與光電元件的連接見G02B6/42；包含多個半導體之裝置及在一共用基質內或其上形成的其它固態組件，適用於光發射者見H01L 27/15）[7]
H01S 5/028鍍層 [7]
H01S 5/04激勵的方法或裝置，如泵激勵（5/06優先）[7]
H01S 5/042電激勵 [7]
H01S 5/06控制雷射輸出參數的裝置，如控制活動介質（利用光的傳輸系統者見H04B10/00）[7]
H01S 5/062可能變化電極電位者（5/065優先）[7]
H01S 5/0625在多段雷射裡 [7]
H01S 5/065模式鎖定；模式抑制；模式選擇 [7]
H01S 5/068雷射輸出參數的穩定（5/0625優先）[7]
H01S 5/0683通過監測光輸出參數的 [7]
H01S 5/0687穩定雷射頻率的 [7]
H01S 5/10光學諧振腔的結構或形狀 [7]
H01S 5/12具有周期性結構的諧振腔，如在分散式反饋雷射中的（DFB-雷射）（5/18優先）[7]
H01S 5/125分散式布拉格（Bragg）反射器雷射（DBR-雷射）[7]
H01S 5/14外腔諧振器雷射（5/18優先；模式鎖定見5/065）[7]
H01S 5/16窗形雷射，即在作用區和反射面之間有不吸收材料區域者（5/14優先）[7]
H01S 5/18表面發射雷射（SE-雷射）[7]
H01S 5/183具有垂直腔者（VCSE-雷射）[7]
H01S 5/187用分散式布拉格反射器者(SE-DBR-雷射)(5/183優先) [7]
H01S 5/20引導光波之半導體的結構或形狀 [7]
H01S 5/22具有脊狀或條狀結構者 [7]
H01S 5/223埋入的條狀結構（5/227優先）[7]
H01S 5/227埋入的檯面結構 [7]
H01S 5/24具有槽結構者，如V-槽結構[7]
H01S 5/30作用區的結構或形狀；及相關材料 [7]
H01S 5/32具有PN接面者，如異質或雙異質結構（5/34優先）[7]
H01S 5/323使用AⅢBⅤ化合材料者，如AlGaAs-雷射 [7]
H01S 5/327使用AⅡBⅥ化合材料者，如ZnCdSe-雷射 [7]
H01S 5/34具有量子井的或超晶格結構的，如單量子井雷射（SQW-雷射），多量子井雷射（MQW-雷射），緩變指數分離限制異質結構雷射（GRINSCH-雷射）（5/36優先）[7]
H01S 5/343使用AⅢBⅤ族化合材料者，如AlGaAs-雷射 [7]
H01S 5/347使用AⅡBⅥ族化合材料者，如ZnCdSe-雷射 [7]
H01S 5/36包含有機材料者（染料雷射見 3/213）[8]
H01S 5/40在5/02至5/30各目中未提供的兩個或多個半導體雷射裝置（5/50優先）[7]
H01S 5/42表面發射雷射的陣列 [7]
H01S 5/50在5/02至5/30各目中未提及的放大器結構（傳輸系統的中繼器見H04B 10/17）[7]
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