IPC國際專利分類查詢
共32筆資料
| C | 化學；冶金；組合化學 |
|---|---|
| C25 | 電解或電泳工藝；其所用的設備（電滲析，電滲，液體之電分離見B01D；以高電流密度作用之金屬加工法見B23H；借助電化學方法以處理水，廢水或污水見C02F1/46；涉及C23主類所列的至少一種工藝及本主類所列的至少一種工藝之金屬材料表面處理或被覆見C23C 28/00，C23F17/00；陽極或陰極保護見C23F；單晶生長見C30B；紡織品之金屬化見D06M11/83；借助局部金屬化以裝飾紡織品見D06Q 1/04；電化學分析方法見G01N；電化學測量、指示或記錄裝置見G01R；電解電路元件，例如電容器見H |
| C25F | 電解法除去物體上材料之方法；其所用的設備 [2] |
| C25F 1/00 | 電解法清理、除油、強浸蝕或除氧化皮 [2] |
| C25F 1/02 | 強浸蝕；除氧化皮 [2] |
| C25F 1/04 | 於溶液內 [2] |
| C25F 1/06 | 鐵或鋼者 [2] |
| C25F 1/08 | 難熔金屬者 [2] |
| C25F 1/10 | 錒系金屬者 [2] |
| C25F 1/12 | 於熔融液內 [2] |
| C25F 1/14 | 鐵或鋼者 [2] |
| C25F 1/16 | 難熔金屬者 [2] |
| C25F 1/18 | 錒系金屬者 [2] |
| C25F 3/00 | 電解浸蝕或拋光 |
| C25F 3/02 | 浸蝕 [2] |
| C25F 3/04 | 輕金屬者 [2] |
| C25F 3/06 | 鐵或鋼者 [2] |
| C25F 3/08 | 難熔金屬者 [2] |
| C25F 3/10 | 錒系金屬者 [2] |
| C25F 3/12 | 半導體材料者 [2] |
| C25F 3/14 | 局部者 [2] |
| C25F 3/16 | 拋光者 [2] |
| C25F 3/18 | 輕金屬者 [2] |
| C25F 3/20 | 鋁者 [2] |
| C25F 3/22 | 重金屬者 [2] |
| C25F 3/24 | 鐵或鋼者 [2] |
| C25F 3/26 | 難熔金屬者 [2] |
| C25F 3/28 | 錒系金屬者 [2] |
| C25F 3/30 | 半導體材料者 [2] |
| C25F 5/00 | 金屬層或金屬覆層之電解褪除 [2] |
| C25F 7/00 | 由物體上電解去除材料用電解槽之構件，或其組合件（用於電鍍及褪鍍者見C25D）；維護或操作[2] |
| C25F 7/02 | 處理液之再生 [2] |