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C	化學；冶金；組合化學
C30	晶體生長（一般結晶法分離見B01D9/00）[3]
C30B	晶體生長（用超高壓者，例如用於金剛石形成者見B01J 3/06）；共晶材料之定向凝固或共析材料之定向分層；材料之區熔精煉（金屬或合金之區熔精煉見C22B）；具有一定結構的均勻多晶材料之製備（金屬鑄造，其他物質按同樣工藝或裝置之鑄造見B22D；塑膠之加工見B29；改變金屬或合金之物理結構見C21D、C22F）；單晶或具有一定結構之均勻多晶材料；單晶或具有一定結構之均勻多晶材料之後處理（用於半導體裝置或元件生產者見H01L）；其所用的裝置 [3]