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C 化學；冶金；組合化學
C30 晶體生長（一般結晶法分離見B01D9/00）[3]
C30B 晶體生長（用超高壓者，例如用於金剛石形成者見B01J 3/06）；共晶材料之定向凝固或共析材料之定向分層；材料之區熔精煉（金屬或合金之區熔精煉見C22B）；具有一定結構的均勻多晶材料之製備（金屬鑄造，其他物質按同樣工藝或裝置之鑄造見B22D；塑膠之加工見B29；改變金屬或合金之物理結構見C21D、C22F）；單晶或具有一定結構之均勻多晶材料；單晶或具有一定結構之均勻多晶材料之後處理（用於半導體裝置或元件生產者見H01L）；其所用的裝置 [3]
C30B 1/00直接自固體之單晶生長（共析材料之定向分層者見3/00；於保護流體下者見27/00）[3]
C30B 1/02熱處理法，例如應變退火（1/12優先）[3]
C30B 1/04等溫度重結晶 [3]
C30B 1/06溫度梯度下之重結晶 [3]
C30B 1/08區熔重結晶 [3]
C30B 1/10固相反應法或多相擴散法 [3]
C30B 1/12生長期間之壓力處理法 [3]
C30B 3/00共析材料之定向分層 [3]
C30B 5/00自凝膠之單相生長（在保護流體下者見27/00）[3]
C30B 5/02添加摻雜材料者 [3]
C30B 7/00自常溫液態溶劑之溶液，例如水溶液之單晶生長（自熔融溶劑者見9/00；用正常凝固法或溫度梯度凝固法者見11/00；於保護流體下者見27/00）[3]
C30B 7/02溶劑蒸發法 [3]
C30B 7/04用水溶劑者 [3]
C30B 7/06用非水溶劑者 [3]
C30B 7/08溶液冷卻法 [3]
C30B 7/10加壓法，例如水熱法 [3]
C30B 7/12電解法 [3]
C30B 7/14由溶液中之化學反應生成的結晶化材料
C30B 9/00自使用熔融態熔劑之溶體的單晶生長（用正常凝固法或溫度梯度凝固法者見11/00；用區域熔融法者見13/00；晶體提拉法見15/00；於浸入的晶種上者見17/00；液相外延生長法見19/00；於保護流體下者見27/00）[3]
C30B 9/02熔融態溶劑之蒸發法 [3]
C30B 9/04熔融溶液冷卻法 [3]
C30B 9/06使用晶體組成之一種組分作溶劑者 [3]
C30B 9/08使用其他溶劑者 [3]
C30B 9/10金屬溶劑 [3]
C30B 9/12鹽溶劑，例如助熔劑生長
C30B 9/14電解法
C30B 11/00正常凝固法或溫度梯度凝固法之單晶生長，例如Bridgman-Stockbarger法（13/00，15/00，17/00，19/00優先；於保護流體下者見27/00）[3]
C30B 11/02不使用熔劑者（11/06優先）[3]
C30B 11/04熔體中添加結晶化材料或添加於反應過程中就地生長結晶化材料之反應物者 [3]
C30B 11/06至少有一種但非全部晶體成分之組分係添加者 [3]
C30B 11/08晶體成分之所有組分均係在結晶化過程添加者 [3]
C30B 11/10固態組分或液態組分，例如焰熔法 [3]
C30B 11/12氣化態組分，例如氣化相-液相-固相生長 [3]
C30B 11/14以種晶，例如其結晶取向為特徵者 [3]
C30B 13/00區域熔融法單晶生長；區域熔融法精煉（117/00優先；改變所處理固體之橫截面者見15/00；在保護流體下者見27/00；具有一定結構之均勻多晶材料的生長見28/00；特定材料之區域精煉，見該材料之相應次類）[3,5]
C30B 13/02用溶劑之區域熔化，例如移動溶劑法 [3]
C30B 13/04區熔勻化法之均質化[3]
C30B 13/06不遍及整個橫截面之熔融區 [3]
C30B 13/08熔融區中添加結晶化材料或添加在反應過程中就地形成結晶化材料之反應物者 [3]
C30B 13/10同時添加摻雜材料者 [3]
C30B 13/12以氣態或氣化態者 [3]
C30B 13/14坩堝或舟皿 [3]
C30B 13/16熔融區之加熱 [3]
C30B 13/18接觸或浸入熔融區域之加熱元件 [3]
C30B 13/20感應法，例如熱式絲法（13/18優先；感應圈見H05B6/36）[3]
C30B 13/22輻照法或放電法 [3]
C30B 13/24使用電磁波者 [3]
C30B 13/26熔融區之攪拌 [3]
C30B 13/28控制或調節（一般控制或調節見G05）[3]
C30B 13/30熔融區之穩定化或形狀控制，例如用濃縮器者，用電磁場者；控制晶體截面者 [3]
C30B 13/32移動裝料或加熱器用之機構 [3]
C30B 13/34以種晶，例如以其結晶取向方為特徵者 [3]
C30B 15/00熔融液提拉法之單晶生長，例如Czochralski法（於保護流體下者見27/00）[3]
C30B 15/02熔融液中添加結晶化材料或添加反應過程中就地形成結晶材料之反應物者 [3]
C30B 15/04添加摻雜材料，例如用於n-p結者 [3]
C30B 15/06非垂直提拉 [3]
C30B 15/08下拉 [3]
C30B 15/10承載熔融液之坩堝或容器 [3]
C30B 15/12雙坩堝法 [3]
C30B 15/14熔融液或已結晶化材料之加熱 [3]
C30B 15/16輻照法及放電法 [3]
C30B 15/18除其他加熱方法以外用直接電阻加熱法，例如使用Peltier加熱者 [3]
C30B 15/20控制或調節（一般之控制或調節見G05）[3]
C30B 15/22被拉晶體附近熔融區之穩定化或形狀控制；晶體截面之者控制[3]
C30B 15/24使用機械裝置，例如成形導模者（邊緣限制熔膜供料之晶體生長用之成形模見15/34）[3]
C30B 15/26使用電視攝像機者；使用光檢測器或X射線檢測器者 [3]
C30B 15/28利用晶體或熔體重量變化者；例如浮稱法 [3]
C30B 15/30轉動或移動熔體或晶體之機構（浮稱法見15/28）[3]
C30B 15/32種晶夾持器，例如種晶夾頭 [3]
C30B 15/34使用成形膜或縫隙之邊緣限制熔膜供料之晶體生長 [3]
C30B 15/36以種晶，例如其結晶取向為特特徵者 [3]
C30B 17/00生長期間種晶保留於熔融液內之單晶生長，例如Necken-Kyropoulos法（15/00優先）
C30B 19/00液相外延層生長 [3]
C30B 19/02使用熔融態溶劑，如助熔劑者 [3]
C30B 19/04晶體組分之一係溶劑者 [3]
C30B 19/06反應室；承載熔融液之舟皿；襯底夾持器 [3]
C30B 19/08反應室或襯底之加熱 [3]
C30B 19/10控制或調節（一般之控制或調節見G05）[3]
C30B 19/12以襯底為特徵者 [3]
C30B 21/00共晶材料之定向凝固 [3]
C30B 21/02正常澆鑄法或溫度梯度凝固法者 [3]
C30B 21/04區域熔融法者 [3]
C30B 21/06自熔融液之提拉法 [3]
C30B 23/00冷凝氣化物或材料揮發法之單晶生長 [3]
C30B 23/02外延層生長 [3]
C30B 23/04圖案沉積，如使用光罩者 [3]
C30B 23/06沉積室、襯底或欲蒸發材料之加熱 [3]
C30B 23/08電離氣化物之冷凝法（用反應濺射法者見25/06）[3]
C30B 25/00反應氣體化學反應法之單晶生長，例如化學氣相沉積生長 [3]
C30B 25/02外延層生長 [3]
C30B 25/04圖案沉積，例如使用光罩者 [3]
C30B 25/06反應濺射法者 [3]
C30B 25/08反應室；其所用材料之選擇 [3]
C30B 25/10反應室或襯底之加熱 [3]
C30B 25/12襯底夾持器或基座 [3]
C30B 25/14氣體供給或排出用之裝置；反應氣流之變換 [3]
C30B 25/16控制或調節（一般的控制或調節見G05）[3]
C30B 25/18以襯底為特徵者 [3]
C30B 25/20與外延層材料相同之襯底 [3]
C30B 25/22夾層之工藝方法 [3]
C30B 27/00保護流體下之單晶生長 [3]
C30B 27/02自熔融液之提拉法 [3]
C30B 28/00製備具有一定結構之均勻多晶材料 [5]
C30B 28/02由固態直接製備 [5]
C30B 28/04由液態製備 [5]
C30B 28/06正常凝固法或溫度梯度凝固法 [5]
C30B 28/08區熔法 [5]
C30B 28/10自熔體之提拉法 [5]
C30B 28/12由氣態直接製備 [5]
C30B 28/14用反應氣體進行化學反應法[5]
C30B 29/00以材料或形狀為特徵的單晶或具有一定結構之均勻多晶材料（合金見C22）[3,5]
C30B 29/02元素 [3]
C30B 29/04金剛石 [3]
C30B 29/06矽 [3]
C30B 29/08鍺 [3]
C30B 29/10無機化合物或組合物 [3]
C30B 29/12鹵化物 [3]
C30B 29/14磷酸鹽 [3]
C30B 29/16氧化物 [3]
C30B 29/18石英 [3]
C30B 29/20氧化鋁 [3]
C30B 29/22複合氧化物 [3]
C30B 29/24分子式為AMeO3者，其中A為稀土金屬，Me為Fe、Ga、Sc、Cr、Co、或Al，例如正鐵氧體 [3]
C30B 29/26分子式為BMe2O4者，其中B為Mg、Ni、Co、Al、Zn或Cd，Me為Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al [3]
C30B 29/28分子式為A3Me5O12者，其中A為稀土金屬、Me為Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al，例如石榴石 [3]
C30B 29/30鈮酸鹽；釩酸鹽；鉭酸鹽[3]
C30B 29/32鈦酸鹽；鍺酸鹽；鉬酸鹽；鎢酸鹽 [3]
C30B 29/34矽酸鹽 [3]
C30B 29/36碳化物 [3]
C30B 29/38氮化物 [3]
C30B 29/40AIIIBv化合物 [3]
C30B 29/42砷化鎵 [3]
C30B 29/44磷化鎵
C30B 29/46含硫、硒或碲之化合物 [3]
C30B 29/48AIIBVI化合物 [3]
C30B 29/50硫化鎘 [3]
C30B 29/52合金 [3]
C30B 29/54有機化合物 [3]
C30B 29/56酒石酸鹽 [3]
C30B 29/58高分子化合物 [3]
C30B 29/60以形狀為特徵者 [3]
C30B 29/62晶鬚或針狀結晶 [3]
C30B 29/64平面晶體，例如板狀，窄條狀，圓盤狀晶體 [5]
C30B 29/66幾何形狀複雜之晶體，例如管狀，圓筒狀之晶體 [5]
C30B 29/68具有疊層結構之晶體，例如超晶格晶體 [5]
C30B 30/00利用電場，磁場，波能或其他特定物理條件之作用為特徵以製備單晶或具有一定結構的均勻多晶材料 [5]
C30B 30/02用電場者，例如電解法 [5]
C30B 30/04用磁場者 [5]
C30B 30/06用機械振盪者 [5]
C30B 30/08在微重力或零重力條件下者 [5]
C30B 31/00單晶或具有一定結構之均勻多晶材料之擴散或摻雜工藝；其所用裝置 [3,5]
C30B 31/02用固態擴散材料接觸者 [3]
C30B 31/04同液態擴散材料接觸者 [3]
C30B 31/06同氣態擴散材料接觸者 [3,2006.01]
C30B 31/08擴散材料為被擴散元素之化合物者 [3]
C30B 31/10反應室；其所用材料之選擇 [3]
C30B 31/12反應室之加熱 [3]
C30B 31/14襯底夾持器或基座 [3]
C30B 31/16氣體供給或排出之裝置；氣流之變換 [3]
C30B 31/18控制或調節（一般的控制或調節見G05）[3]
C30B 31/20電磁波輻照或粒子輻射法之摻雜 [3]
C30B 31/22離子注入法者 [3]
C30B 33/00單晶或具有一定結構的均勻多晶材料之後處理（31/00優先；研磨、拋光見B24；寶石類、晶體之機械精加工見B28D5/00）[3,5]
C30B 33/02熱處理（33/04，33/06優先）[5]
C30B 33/04用電場或磁場粒子輻射者 [5]
C30B 33/06晶體之接合 [5]
C30B 33/08蝕刻 [5]
C30B 33/10於溶液或熔體內者 [5]
C30B 33/12於氣體氣氛或電漿下者 [5]
C30B 35/00單晶或具有一定結構的均勻多晶材料之生長、製備、或後處理專用的一般裝置 [3,5]
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