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G 物理
G03 攝影術;電影術;利用光波以外其他波之類似技術;電刻術;全相攝影術(利用掃描及變成電信號複製圖像或圖案者見H04N)[4]
G03F 圖紋面之照相製版工藝,如印刷工藝,半導體裝置之加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所專用設備(照相排版裝置見B41B;為攝影用之感光材料與處理見G03C;電刻、感光層或處理見G03G)
G03F 1/00用於圖紋面之照相製版工藝所需的原版之製備(一般的照相製版工藝見7/00)[3]
G03F 1/20用於藉帶電粒子束[CPB]輻射,如藉由電子束成像的光罩或空白光罩;其製備 [2012.01]
G03F 1/22用於藉100nm或更短波長輻射成像的光罩或空白光罩,如X射線光罩、極紫外光[EUV]光罩;其製備 [2012.01]
G03F 1/24反射型光罩;其製備 [2012.01]
G03F 1/26相位移光罩[PSM];相位移空白光罩;其製備 [2012.01]
G03F 1/28同一相位移光罩具有三種以上互異的相位;其製備 [2012.01]
G03F 1/29邊緣型(rim)相位移光罩或外架型(outrigger)相位移光罩;其製備 [2012.01]
G03F 1/30交替型(alternating)相位移光罩,如Levenson-Shibuya相位移光罩;其製備 [2012.01]
G03F 1/32減光型相位移光罩[att-PSM],如半色調相位移光罩或具半透明相位移部分的相位移光罩;其製備 [2012.01]
G03F 1/34相位邊緣型(phase-edge)相位移光罩,如無鉻相位移光罩;其製備 [2012.01]
G03F 1/36具鄰近校正特徵之光罩;其製備,如光學鄰近校正[OPC]設計方法 [2012.01]
G03F 1/38具輔助特徵,如具有特殊塗層或用於校準或測試的標記之光罩;其製備 [2012.01]
G03F 1/40靜電放電[ESD]有關的特徵,如抗靜電塗層或環繞光罩基底周圍的導電金屬層 [2012.01]
G03F 1/42校準或對齊特徵,如光罩基底上的校準標記 [2012.01]
G03F 1/44測試或量測特徵,如格柵圖案、焦點監視器、鋸齒標度或刻有凹槽的標度 [2012.01]
G03F 1/46抗反射鍍膜 [2012.01]
G03F 1/48保護塗層 [2012.01]
G03F 1/501/20至1/26目不包括的空白光罩;其製備 [2012.01]
G03F 1/52反射器 [2012.01]
G03F 1/54吸收器,如不透明材料 [2012.01]
G03F 1/56有機吸收器,如光阻 [2012.01]
G03F 1/58具兩層以上不同吸收層,如堆疊的多層吸收器 [2012.01]
G03F 1/60基底 [2012.01]
G03F 1/62薄膜或薄膜組合,如具有支架上的薄膜;其製備 [2012.01]
G03F 1/64以其框架為特徵者,如其結構或材料 [2012.01]
G03F 1/66專門適用於掩膜、光罩或標線片的容器;其製備 [2012.01]
G03F 1/681/20至1/50目不包括的製備方法 [2012.01]
G03F 1/70依微影方法的需求修改光罩之基本佈局或設計,如用於成像的光罩圖案之二次疊代修正 [2012.01]
G03F 1/72修補或修正光罩缺陷 [2012.01]
G03F 1/74藉由帶電粒子束[CPB],如聚焦離子束 [2012.01]
G03F 1/76藉由成像形成光罩圖案 [2012.01]
G03F 1/78藉由帶電粒子束[CPB],如電子束[2012.01]
G03F 1/80蝕刻 [2012.01]
G03F 1/82輔助方法,如清潔 [2012.01]
G03F 1/84檢查 [2012.01]
G03F 1/86藉由帶電粒子束[CPB] [2012.01]
G03F 1/88用模仿凸版製造原型之照相方法所製備 [2012.01]
G03F 1/90用拼版方法所製備 [2012.01]
G03F 1/92由印刷表面所製備 [2012.01]
G03F 3/00分色;色調值之校正(一般照相複製設備見G03B)
G03F 3/02應用修版方法
G03F 3/04應用照相裝置
G03F 3/06應用蒙版
G03F 3/08應用光電裝置
G03F 3/10檢查分色負片或正片之彩色或色調值
G03F 5/00網版印刷法及所用網版
G03F 5/02用投影方法(照相機見G03B)
G03F 5/04改變網版作用
G03F 5/06改變光欄作用
G03F 5/08應用線條網版
G03F 5/10應用十字線網版
G03F 5/12應用其他網版,如砂粒網版
G03F 5/14用接觸方法
G03F 5/16應用灰色半色調網版
G03F 5/18應用彩色半色調網版
G03F 5/20網版用於照相凹版印刷
G03F 5/22多個網版組合;魚紋之消除
G03F 5/24用多次曝光;如照相與網版之聯合方法
G03F 7/00圖紋面,如印刷表面之照相製版;如光刻工藝;圖紋面照相製版用之材料,如含光致抗蝕劑之材料;圖紋面照相製版之專用設備(用於特殊工藝之光致抗蝕劑結構見相關的位置,如B44C,H01L,H01L 21/00,H05K)[3,5]
G03F 7/004感光材料(7/12,7/14優先)[5]
G03F 7/008疊氮化合物(7/075優先)[5]
G03F 7/012高分子疊氮化合物;高分子添加劑,如黏結劑 [5]
G03F 7/016重氮鹽或化合物(7/075優先)[5]
G03F 7/021高分子重氮化合物;高分子添加劑,如黏結劑 [5]
G03F 7/022苯醌重氮(7/075優先)[5]
G03F 7/023高分子苯醌重氮;高分子添加劑,如黏結劑 [5]
G03F 7/025具有碳-碳三鍵之非高分子之可光聚合的化合物,如乙炔化合物(7/075優先)[5]
G03F 7/027具有碳-碳雙鍵之非高分子之可光聚合物之化合物,如乙烯化合物(7/075優先)[5]
G03F 7/028含有增感物質者,如感光引發劑 [5]
G03F 7/029無機化合物;Qnium類化合物;含雜原子而不含氧、氮、硫原子之有機化合物 [5]
G03F 7/0317/029目不包括的有機化合物 [5]
G03F 7/032含有黏結劑者 [5]
G03F 7/033經由反應而得之僅包含碳-碳不飽和鍵的黏結劑聚合物,如乙烯基聚合物 [5]
G03F 7/035黏結劑係聚氨基甲酸酯 [5]
G03F 7/037黏結劑係聚醯胺或聚醯亞胺 [5]
G03F 7/038高分子化合物被製備成不溶解者或非均勻可濕者(7/075優先;高分子疊氮化合物見7/012;高分子重氮化合物見7/021)[5]
G03F 7/039光崩解的高分子化合物,如正電子抗蝕劑(7/075優先;高分子苯醌重氮化合物7/023)[5]
G03F 7/04鉻酸鹽類(7/075優先)[5]
G03F 7/06銀鹽類(7/075優先)[5]
G03F 7/07用於擴散轉印者 [5]
G03F 7/075含矽之化合物 [5]
G03F 7/085以加速黏結的非高分子添加劑為特徵之感光劑組成分(7/075優先)[5]
G03F 7/09以細部結構為特徵者,如基片層,輔助層(印刷版之基片層一般見B41N)[5]
G03F 7/095具有一個以上之感光層者(7/075優先)[5]
G03F 7/105具有形成可見影像之物質者,如指示劑 [5]
G03F 7/11具有覆蓋層或中間層者,如(使感光乳劑固著於基片者)膠層 [5]
G03F 7/115具有基片層或具有可獲得網版效應之層以及在真空印刷中為獲得更好的接觸之層 [5]
G03F 7/12網版印刷模版或類似印刷模版之製作,如鏤花模版之製作 [5]
G03F 7/14珂羅版印刷模之製作 [5]
G03F 7/16塗層處理及其設備(用於基底材料塗層一般見B05;用於基底層或攝影目的之感光成分見G03C 1/74)
G03F 7/18彎曲面之塗層
G03F 7/20曝光及其設備(複製用照相印製設備見G03B 27/00)[4]
G03F 7/207聚焦裝置,如自動地(定位與聚焦之結合見9/02;聚焦信號自動發生系統見G02B 7/28;投影印製設備之自動聚焦見G03B 27/34)[4]
G03F 7/213用同一光學圖像使同一表面之不同位置上同時曝光(7/207優先)[4]
G03F 7/22用同一光學圖像使同一表面之不同位置上依次曝光(3/207優先)[4]
G03F 7/23相應之自動裝置 [4]
G03F 7/24彎曲之版面
G03F 7/26感光材料之處理及其設備(7/12至7/24優先)[3,5]
G03F 7/28為獲得粉末影像者(3/10優先)[5]
G03F 7/30用液體消除影像的 [5]
G03F 7/32所用的液體成份,如顯影劑 [5]
G03F 7/34用選擇性轉印去除影像者,如剝離 [5]
G03F 7/367/30至7/34目中不包括的影像予以去除,如用氣流、用等離子體去除影像 [5]
G03F 7/38去除影像之前的處理,如預烘乾 [5]
G03F 7/40去除影像之後的處理,如烘乾 [5]
G03F 7/42剝離或剝離劑 [5]
G03F 9/00原稿、遮罩、排字台、照相紙、結構或圖形之表面等的對準或定位、如自動地(7/22優先;照相遮罩之製備見1/00;於複製用之照相複印設備內者見G03B27/00)[4]
G03F 9/02與自動聚焦裝置相結合者(自動聚焦見G02B7/09;聚焦信號之自動產生系統見G02B7/28)[4]
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