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H 電學
H01 基本電氣元件
H01L 半導體裝置;其他類目未包括的電固體裝置(半導體晶片之輸運系統見B65G49/07;半導體裝置於測量方面之應用見G01;一般掃描探針設備的零部件見 G12B ; 一般電阻器見H01C;磁體,電感器,變壓器見H01F;一般電器見H01G;電解裝置見H01G9/00;電池組,蓄電池見H01M;導波管,導波管之諧振器或導波型線路見H01P;線路連接器,匯流器見H01R;受激發射裝置見H01S;機電諧振器見H03H;用於電通信之機電傳感器見H04R;一般電光源見H05B;印刷電路,混合電路,電設備之結構零部件或外殼
H01L 21/00適用於製造或處理半導體或固體裝置或部件之方法或設備(儘限用於製造或處理列入31/00至51/00各目之裝置及其部件之方法或設備見上述各組,列入其他次類之單工序工藝方法各見有關次類,如C23C、C30B;花紋面或表面圖形之照相製版,其材料或原版及專用設備,一般見G03F)[2,8]
H01L 21/02半導體裝置或其部件之製造或處理 [2,8]
H01L 21/027未包括於21/18或21/34目且為進一步之光刻工藝於半導體之上製作光罩[5]
H01L 21/033包括無機層者 [5]
H01L 21/04至少具有一個電位能障或表面能障之裝置,如PN介面、空乏層、載子集聚層[2]
H01L 21/06裝置中之半導體所含有的硒或碲以游離態存在而不是在其他半體材料中作為雜質[2]
H01L 21/08基板之製備 [2]
H01L 21/10硒或碲之預處理及其於基板上之應用,或其組合之相繼處理 [2]
H01L 21/103硒或碲導電態之轉換[2]
H01L 21/105硒或碲轉換為導電層後之表面處理 [2]
H01L 21/108分離絕緣層之製備,即:非生長阻擋層 [2]
H01L 21/12將硒或碲加至基板後,於硒或碲之裸露面上加電極 [2]
H01L 21/14完整裝置之處理,如用電鑄加工形成能障[2]
H01L 21/145老化 [2]
H01L 21/16具有由氧化亞銅或碘化亞銅組成的半導體裝置 [2]
H01L 21/18具有包含周期表第IV族元素或含有或不含有例如摻雜材料之雜質的AIIIBV化合物之半導體本體所組成之元件 [2,6,7]
H01L 21/20半導體材料於基片上之沉積,如磊晶成長[2]
H01L 21/203應用物理沉積者,例如:真空沉積,濺射 [2]
H01L 21/205應用氣態化合物之還原或分解產生固態凝結物者,即:化學沉積 [2]
H01L 21/208應用液體沉積者 [2]
H01L 21/22雜質材料之擴散,如於半導體或半導體之交界區摻入或析出摻雜材料,電極材料 [2]
H01L 21/223應用由氣相向固體或由固體向氣相之擴散法 [2]
H01L 21/225應用由固相向固體或由固體向固相之擴散法,如摻雜氧化層 [2]
H01L 21/228應用由液相向固體或由固體向液相之擴散法,如合金擴散製程[2]
H01L 21/24雜質材料(如摻雜材料,電極材料)與半導體之合金 [2]
H01L 21/26用波或粒子輻射轟擊者(熱處理見 21/324) [2]
H01L 21/261引起變換化學元素的核子反應 [6]
H01L 21/263具高能量輻射線(21/261優先)[2,6]
H01L 21/265離子佈值者(用於局部處理之離子束管見H01J37/30)[2]
H01L 21/266應用光罩者 [5]
H01L 21/268應用電磁輻射者,如雷射輻射 [2]
H01L 21/28用21/20至21/268各目不包括的方法或設備於半導體材料上製造電極者 [2]
H01L 21/283用作電極之導電材料或絕緣材料之沉積 [2]
H01L 21/285氣體或蒸汽之沉積,如冷凝 [2]
H01L 21/288液體之沉積,如電解沉積 [2]
H01L 21/30用21/20至21/26各目不包括的方法或設備處理半導體材料者(於半導體材料上製作電極者見21/28)[2]
H01L 21/301將半導體本體分隔為各別部分,例如加以區隔(切斷見21/304)[6]
H01L 21/302改變半導體材料之表面物理特性或形狀者,如腐蝕、拋光、切割 [2]
H01L 21/304機械處理,如研磨、拋光、切割 [2]
H01L 21/306化學或電處理,如電解腐蝕(形成絕緣層者見21/31)[2]
H01L 21/3063電解蝕刻 [6]
H01L 21/3065電漿蝕刻;反應性離子蝕刻 [6]
H01L 21/308使用光罩(21/3063,21/3065優先)[2,6]
H01L 21/31於半導體材料上形成絕緣層者,如用於光罩者或使用於光蝕刻技術者(形成電極層者見21/28;密封層見21/56)及此等層之後處理; 此等層材料之選擇[2,5]
H01L 21/3105後處理 [5]
H01L 21/311絕緣層之蝕刻 [5]
H01L 21/3115絕緣層之摻雜 [5]
H01L 21/312有機層,如光阻(21/3105、21/32優先)[2,5]
H01L 21/314無機層(21/3105,21/32優先)[2,5]
H01L 21/316由氧化物或玻璃狀氧化物或以氧化物為基礎之玻璃組成的無機層 [2]
H01L 21/318由氮化物組成的無機層 [2]
H01L 21/32應用光罩者 [2,5]
H01L 21/3205非絕緣層之沉積,如絕緣層上之導電層,電阻層;此等層之後處理(電極之製造見21/28) [5]
H01L 21/321後處理 [5]
H01L 21/3213層的物理或化學蝕刻,例如從前沉積的大片層產生有圖樣之層[6]
H01L 21/3215層之摻雜 [5]
H01L 21/322改善其內部性能者,如產生內部缺陷 [2]
H01L 21/324用於改善半導體材料性能之熱處理,如退火、燒結(21/20至21/288、21/302至21/322優先)[2]
H01L 21/326電流或電場之應用,如用於電鑄成型者(21/20至21/288,21/302至21/324優先)[2]
H01L 21/328製造雙極型裝置(如二極體、電晶體、閘流體)之多步驟製程[5]
H01L 21/329包括一個或兩個電極之裝置,如二極體[5]
H01L 21/33包括三個或更多電極之裝置 [5]
H01L 21/331電晶體[5]
H01L 21/332閘流體[5]
H01L 21/334製造單極型裝置之多步驟製程[5]
H01L 21/335場效應電晶體 [5]
H01L 21/336具有絕緣閘者 [5]
H01L 21/337具有PN介面閘者[5]
H01L 21/338具有肖特基閘者 [5]
H01L 21/339電荷傳送裝置[5,6]
H01L 21/34具有21/06,21/16及21/18各目不包括或有或無雜質(如摻雜材料)之半導體裝置 [2]
H01L 21/36半導體材料於基片上之沉積,如磊晶成長[2]
H01L 21/363應用物理沉積,如真空沉積、濺射 [2]
H01L 21/365應用氣態化合物之還原或分解產生固態凝結物者,即:化學沉積 [2]
H01L 21/368應用液體沉積者 [2]
H01L 21/38雜質材料之擴散,如於半導體或半導體之交界區摻入或析出摻雜材料、電極材料 [2]
H01L 21/383應用由氣相向固體或由固體向氣相之擴散法[2]
H01L 21/385應用由固相向固體或由固體向固相之擴散法、如摻雜氧化層 [2]
H01L 21/388應用由液相向固體或由固體向液相之擴散法,如合金擴散製程[2]
H01L 21/40雜質材料(如摻雜材料,電極材料)與半導體之合金 [2]
H01L 21/42用輻射轟擊者 [2]
H01L 21/423用高能輻射者 [2]
H01L 21/425離子佈值者(用於局部處理之離子束管見H01J37/30)[2]
H01L 21/426使用光罩者 [5]
H01L 21/428應用電磁輻射者,如激光輻射 [2]
H01L 21/44用21/36至21/428各目不包括的方法或設備於半導體材料上製造電極者 [2]
H01L 21/441用作電極之導電材料或絕緣材料之沉積 [2]
H01L 21/443氣體或蒸汽之沉積,如凝結 [2]
H01L 21/445液體之沉積,如電解沉積 [2]
H01L 21/447包括有運用壓力者,如熱壓結合(21/607優先)[2]
H01L 21/449包括有運用機械振動者,如超音波振動 [2]
H01L 21/46用21/36至21/428各目不包括的方法或設備處理半導體材料者(於半導體材料上製作電極者見21/44)[2]
H01L 21/461改變半導體材料之表面物理特性或形狀者,如腐蝕、拋光、切割 [2]
H01L 21/463機械處理,如研磨、超音波處理 [2]
H01L 21/465化學或電處理,如電解腐蝕(形成絕緣層者見21/469)[2]
H01L 21/467使用光罩 [2]
H01L 21/469於半導體材料上形成絕緣層者,如用於光罩或使用光蝕刻技術者(形成電極層者見21/44;密封層見21/56)及此等層之後處理[2,5]
H01L 21/47有機層,如光阻(21/475,21/4757優先)[2,5]
H01L 21/471無機層,(21/475,21/4757優先)[2,5]
H01L 21/473由氧化物或玻璃狀氧化物或以氧化物為基礎之玻璃組成的無機層[2]
H01L 21/475使用光罩 [2,5]
H01L 21/4757後處理 [5]
H01L 21/4763非絕緣層的沈積,例如於絕緣層上的導電層,電阻層;這些層的後處理(電極的製造見21/28) [5]
H01L 21/477用於改善半導體材料性能之熱處理,如退火、燒結(21/36至21/449,21/461至21/475優先)[2]
H01L 21/479電流或電場之應用,如用於電鑄成型者(21/36至21/449,21/461至21/477優先)[2]
H01L 21/48使用21/06至21/326中之任一次目均不包括的方法,於裝置組裝之前製造或處理部件,如容器(容器,封裝、填料、安裝架本身見23/00)[2]
H01L 21/50使用21/06至21/326中之任一次目均不包括的方法或設備組裝半導體裝置者[2]
H01L 21/52半導體於容器內之安裝[2]
H01L 21/54於容器內填料,如氣體填料 [2]
H01L 21/56封裝,如密封層,塗層 [2]
H01L 21/58半導體裝置於支架上 [2]
H01L 21/60引線或其他導電構件的連接,用於工作時向或由裝置傳導電流 [2]
H01L 21/603包括運用壓力者,例如:熱壓結合(21/607優先)[2]
H01L 21/607包括運用機械振動者,如超音波振動 [2]
H01L 21/62無電位能障或表面能障之裝置[2]
H01L 21/64不限於列入31/00至49/00各目之單個裝置所使用的非半導體裝置之固體裝置或其部件之製造或處理 [2]
H01L 21/66於製造或處理過程中之測試或測量(製造後之測試或測量見G01R 31/26)[2]
H01L 21/67特殊適用於製造或處理過程中半導體或電固態裝置的裝置; 特殊適用於半導體固態裝置或部件的製造或過程中處理晶片的裝置[8]
H01L 21/673使用特殊的載體 [8]
H01L 21/677用於輸送用,如用於不同的工作平台之間
H01L 21/68於製造過程中元件之定位,定向,或對準裝置(用於輸送見 21/677 ) [2,8]
H01L 21/683用於支撐或夾緊(用於輸送見 21/677,用於定位,定向或對準見 21/68 ) [8]
H01L 21/687使用機械裝置,如卡盤,夾具或夾子[8]
H01L 21/70由在一共用基片內或其上形成之多個固態元件組成的裝置或其部件之製造或處理;積體電路裝置或其部件之製造(由預製電元件組成的組裝件之製造見H05K 3/00,H05K 13/00)[2]
H01L 21/71於21/70目中定義的裝置之特定部件的製造(21/28,21/44,21/48優先)[6]
H01L 21/74雜質高度集中的埋層之製作,如集電極埋層,內部連接線 [2]
H01L 21/76元件間隔離區之製作,例如:PN介面,介電層、空氣隙[2]
H01L 21/761PN接合 [6]
H01L 21/762電介體區域 [6]
H01L 21/763多結晶半導體區域 [6]
H01L 21/764空隙 [6]
H01L 21/765藉電場效應 [6]
H01L 21/768對裝置內各別構成元件間施以供電流流通使用的相互連結 [6]
H01L 21/77在共同基板內或基板上形成的複數固態元件或積體電路所構成裝置的製造或處理(可程式化唯讀記憶體或多步驟製程處理見27/115) [6,2006.01,2017.01]
H01L 21/78將基板分隔為複數個各別的裝置(改變半導體本體的表面物理特性或形狀之切斷見21/304)[2,6]
H01L 21/782製造多個裝置且每一個裝置由單一的電路元件所組成[6]
H01L 21/784基板為半導體者 [6]
H01L 21/786基板為半導體以外者,例如絕緣體 [6]
H01L 21/82製造包含多個電路元件的裝置,如積體電路
H01L 21/822基板為使用矽技術的半導體(21/8258優先)[6]
H01L 21/8222雙極技術 [6]
H01L 21/8224包含縱型與橫型電晶體的組合 [6]
H01L 21/8226包含併合電晶體邏輯或積體注入邏輯 [6]
H01L 21/8228互補型裝置,例如互補型電晶體 [6]
H01L 21/8229記憶體結構 [6]
H01L 21/8232場效應技術 [6]
H01L 21/8234MIS技術 [6]
H01L 21/8236增強電晶體與空乏電晶體的組合[6]
H01L 21/8238互補型場效應電晶體,例如CMOS [6]
H01L 21/8239記憶體結構 [6]
H01L 21/8242動態隨機存取記憶體結構(DRAM)[6]
H01L 21/8244靜態隨機存取記憶體結構(SRAM)[6]
H01L 21/8246唯讀記憶體結構(ROM)[6]
H01L 21/8247(轉見27/115 - 27/11597)
H01L 21/8248雙極技術與場效應技術的組合 [6]
H01L 21/8249雙極技術與MOS技術 [6]
H01L 21/8252基板為使用Ⅲ-Ⅴ技術的半導體(21/8258優先)[6]
H01L 21/8254基板為使用Ⅱ-Ⅵ技術的半導體(21/8258優先)[6]
H01L 21/8256基板為使用21/822,21/8252或21/8254未包含的技術之半導體(21/8258優先)[6]
H01L 21/8258基板為使用21/822,21/8252,21/8254或21/8256所包含技術的組合之半導體 [6]
H01L 21/84基板為半導體以外者,例如絕緣體者 [2,6]
H01L 21/86該絕緣體為藍寶石者,例如在藍寶石上生長矽的結構,即SOS [2,6]
H01L 21/98由在一共用基片內或其上形成之多個固態元件的裝置之組裝;積體電路裝置之組裝(21/50優先;組裝本身見25/00)[2,5]
H01L 23/00半導體或其他固體裝置之零部件(25/00優先)2,5]
H01L 23/02容器;封接(23/12,23/34,23/48,23/552優先)[2,5]
H01L 23/04按外形而區分者 [2]
H01L 23/043具有凹槽結構,並有用於半導體本體安裝架及引線之導電基片的容器 [5]
H01L 23/045包含有絕緣通路穿過基片之引線者 [5]
H01L 23/047引線平行於基片者 [5]
H01L 23/049引線垂直於基片者 [5]
H01L 23/051由覆蓋薄板形成者,平行於基板之引線,如夾層型 [5]
H01L 23/053容器具有凹槽結構,並有絕緣基片用作導體本體安裝架者 [5]
H01L 23/055引線經過基片者 [5]
H01L 23/057引線平行於基片者 [5]
H01L 23/06按容器之材料或其電氣性能而區分者 [2]
H01L 23/08其材料係電絕緣體者,例如:玻璃 [2]
H01L 23/10按部件間,如在容器之帽蓋及基片之間或在容器之引線及器壁之間之封接之材料或配置的特點而予區分者 [2]
H01L 23/12安裝架,如不可拆卸的絕緣基板 [2]
H01L 23/13按形狀特點而予區分者 [5]
H01L 23/14按其材料或其電氣性能而區分者 [2]
H01L 23/15陶瓷或玻璃基板 [5]
H01L 23/16容器中之填充料或輔助構件,如定心環(23/42,23/552優先)[2,5]
H01L 23/18按材料,其物理或化學性能,或於其完整裝置內以其配置為特點而予區分之填充料 [2]
H01L 23/20於該裝置之常態工作溫度下為氣態 [2]
H01L 23/22於該裝置之常態工作溫度下為液態者 [2]
H01L 23/24於該裝置之常態工作溫度下為固態或凝膠狀者 [2]
H01L 23/26包含對水分或其他有害物質有吸收作用或起反應之材料者 [2]
H01L 23/28封裝,如密封層,塗覆物(23/552優先)[2,5]
H01L 23/29按材料特點而予區分者 [5]
H01L 23/31按配置特點而予區分者 [5]
H01L 23/32用於支承處於工作中的完整裝置之支座,即可拆卸的夾緊裝置(23/40優先;連接器一般見H01R;用於印刷電路見H05K)[2,5]
H01L 23/34冷卻裝置;加熱裝置;通風裝置或溫度補償裝置 [2,5]
H01L 23/36為便於冷卻或加熱對材料或造型之選擇,如散熱器 [2]
H01L 23/367為便於冷卻之裝置造形 [5]
H01L 23/373為便於冷卻之裝置材料選擇 [5]
H01L 23/38應用Peltier效應之冷卻裝置[2]
H01L 23/40用於可拆卸的冷卻或加熱裝置 [2]
H01L 23/42為便於加熱或冷卻在容器內選擇或配置之填料或輔助構件(按用於裝置而選擇的材料之特點予以區分者見23/373)[2,5]
H01L 23/427通過物態改變而冷卻者,如使用熱管 [5]
H01L 23/433按輔助構件之形狀而予區分者,如活塞 [5]
H01L 23/44完全浸入非為空氣之流體中之完整裝置(23/427優先)[2,5]
H01L 23/46包含有用流動流體傳導熱者(23/42,23/44優先)[2]
H01L 23/467通過流動氣體者,如空氣之[5]
H01L 23/473通過流動液體者 [5]
H01L 23/48用於向或自處於工作中之固態物體通電之裝置,例如引線,接線端裝置(一般見H01R)[2]
H01L 23/482由不可拆卸的施加至半導體本體之內引線組成者 [5]
H01L 23/485包括導電層及絕緣層組成的層狀結構,如平面型接觸[5]
H01L 23/488由焊接或接合結構組成者 [5,8]
H01L 23/49類如導線連接者 [5]
H01L 23/492基片或平板者 [5]
H01L 23/495引線框架者 [5]
H01L 23/498引線位於絕緣基板上者 [5]
H01L 23/50用於積體電路裝置者(23/482至23/498優先)[2,5]
H01L 23/52用於在處於工作中之裝置內部由一個組件向另一個組件通電之裝置 [2]
H01L 23/522包含製作在半導體本體上之多層導電及絕緣的結構之外剖互連裝置者 [5]
H01L 23/525具有通用的互連裝置者 [5]
H01L 23/528互連結構之布置 [5]
H01L 23/532按材料特點而予區分者 [5]
H01L 23/535包括內部互連者,如穿接結構 [5]
H01L 23/538製作於絕緣基板上或內多個半導體芯片間之互連結構(安裝架本身見23/12)[5]
H01L 23/544加至半導體裝置上之標誌,例如:註冊商標,測試圖案 [5]
H01L 23/552防輻射保護裝置,如光 [5]
H01L 23/556防α射線者 [5]
H01L 23/58其他目不包括者,用於半導體裝置之電結構裝置 [5]
H01L 23/60防靜電荷或放電之保護裝置,如法拉第屏蔽(一般見H05F)[5]
H01L 23/62防過電流和超負載保護裝置,如熔絲,分路器 [5]
H01L 23/64阻抗裝置 [5]
H01L 23/66高頻匹配器 [5]
H01L 25/00由多數單個半導體或其他固體裝置組成之組裝件(於一共同基片內或其上形成由多個固體元件組成的裝置見27/00;光電池組裝件見31/042;應用太陽電池或太陽電池板之發生器見H02N6/00;列入其他次類,如電視接收機之零部件,見有關次類之完整電路組裝件之零部件,如H04N;一般電阻件之組裝件之零部件見H05K)[2,5]
H01L 25/03所有屬於列入27/00至49/00各目中同一次目內的相同類型之裝置,如整流二極體之裝配。[5]
H01L 25/04不具有單獨容器之裝置 [2,2014.01]
H01L 25/065屬於列入27/00目類型之裝置 [5]
H01L 25/07屬於列入29/00目類型之裝置 [5]
H01L 25/075屬於列入33/00目類型之裝置 [5]
H01L 25/10具有單獨容器之裝置 [2]
H01L 25/11屬於列入29/00目類型之裝置 [5]
H01L 25/13屬於列入33/00目類型之裝置 [5]
H01L 25/16屬於列入27/00至49/00各目中兩個或多個不同主目內之類型之裝置,如構成混合電路者 [2]
H01L 25/18屬於列入27/00至49/00各目中兩個或多個同一主目之不同次目內的類型之裝置 [5]
H01L 27/00自於一共用基片內或其上形成的多個半導體或其他固體元件組成之裝置(適用於該裝置或其部件之製造或處理的方法或設備見21/70,31/00至51/00;其零部件見23/00,29/00至51/00;由多個單個固體裝置組成之組裝件見25/00;一般電元件之組裝件見H05K)[2,8]
H01L 27/01僅包括有於一公共絕緣基板上形成的被動薄膜或厚膜元件之裝置[3]
H01L 27/02包括有適用於整流、振盪、放大、切換之半導體元件之裝置或包括至少有一個電位能障或表面能障的電路單元之裝置[2]
H01L 27/04其基板為半導體者 [2]
H01L 27/06於非重複結構內包括有多個單個元件者 [2]
H01L 27/07主動區共用的元件 [5]
H01L 27/08僅包括有一種半導體元件者 [2]
H01L 27/082僅包含雙極型之元件 [5]
H01L 27/085僅包含場效應之元件 [5]
H01L 27/088有絕緣閘楊效應晶體管之元件 [5]
H01L 27/092互補MIS場效應電晶體管 [5]
H01L 27/095有肖特基能障閘極場效應電晶體之元件 [5]
H01L 27/098有PN介面閘極場效應電晶體之元件[5]
H01L 27/10在重複結構中包括有多個獨立元件者 [2]
H01L 27/102包含雙極型元件者 [5]
H01L 27/105包含場效應元件者 [5]
H01L 27/108動態隨機存取儲存結構者 [5]
H01L 27/11靜態隨機存取儲存結構者 [5]
H01L 27/112唯讀記憶器結構者 [5]
H01L 27/115可程式化之唯讀記憶體 ;見多步驟製程[5.2017.01]
H01L 27/11502有電鐵儲存電容者[2017.01]
H01L 27/11504其特徵在於俯視圖佈局[2017.01]
H01L 27/11507其特徵在於儲存磁心區域[2017.01]
H01L 27/11509其特徵在於週邊電路區域[2017.01]
H01L 27/11512其特徵在於核心與週邊電路區域之間的邊界[2017.01]
H01L 27/11514其特徵在於三維配置,例如不同高度的單元[2017.01]
H01L 27/11517有浮動閘者[2017.01]
H01L 27/11519其特徵在於俯視圖佈局[2017.01]
H01L 27/11521其特徵在於記憶體核心區域(三維配置見27/11551) [2017.01]
H01L 27/11524有單元選擇電晶體,如NAND[2017.01]
H01L 27/11526其特徵在於週邊電路區域[2017.01]
H01L 27/11529儲存區域包含單元選擇電晶體,如NAND[2017.01]
H01L 27/11531週邊及儲存單元的同步製造[2017.01]
H01L 27/11534僅包含一種週邊電晶體 [2017.01]
H01L 27/11536具有一另作為部分週邊電晶體的控制閘層[2017.01]
H01L 27/11539具有一另作為部分週邊電晶體的內閘介電質層 [2017.01]
H01L 27/11541具有一另作為部分週邊電晶體的浮動閘層[2017.01]
H01L 27/11543具有一另作為部分週邊電晶體的通道介電質層 [2017.01]
H01L 27/11546包含不同型態的週邊電晶體 [2017.01]
H01L 27/11548其特徵在於核心與週邊電路區域之間的邊界 [2017.01]
H01L 27/11551其特徵在於三維配置,如不同高度的單元[2017.01]
H01L 27/11553具有不同水平的源極和汲極,如傾斜的通道 [2017.01]
H01L 27/11556通道包含垂直部分,如U型通道[2017.01]
H01L 27/11558控制閘為摻雜區,如單多晶儲存單元[2017.01]
H01L 27/1156浮動閘為被兩個或兩個以上組件共用的電極[2017.01]
H01L 27/11563電荷捕獲閘絕緣體,如MNOS或NROM[2017.01]
H01L 27/11565其特徵在於頂視圖佈局[2017.01]
H01L 27/11568其特徵在於記憶體磁心區域(三維配置見27/11578) [2017.01]
H01L 27/1157有單元選擇電晶體,如NAND[2017.01]
H01L 27/11573其特徵在於週邊電路區域[2017.01]
H01L 27/11575其特徵在於核心與週邊電路區域之間的邊界[2017.01]
H01L 27/11578其特徵在於三維配置,如不同高度的單元[2017.01]
H01L 27/1158具有不同水平的源極和汲極,如傾斜的通道[2017.01]
H01L 27/11582通道包含垂直部分,如U型通道[2017.01]
H01L 27/11585閘極層包含一層用於鐵電記憶體特性,如金屬鐵電半導體(MFS)或金屬鐵電金屬絕緣半導體(MFMIS)[2017.01]
H01L 27/11587其特徵在於俯視圖分佈[2017.01]
H01L 27/1159其特徵在於記憶體磁心區域[2017.01]
H01L 27/11592其特徵在於週邊電路區域[2017.01]
H01L 27/11595其特徵在於核心與週邊電路區域之間的邊界[2017.01]
H01L 27/11597其特徵在於三維配置,如不同高度的單元[2017.01]
H01L 27/118母片積體電路 [5]
H01L 27/12其基板為非半導體者,如為絕緣體者 [2]
H01L 27/13與薄膜或厚膜被動元件相組合者[3]
H01L 27/14包括有對紅外輻射,光,較短波長之電磁輻射或較短波長之微粒子輻射,或者微粒輻射敏感者,並且適用於將此種輻射能轉換為電能,或適用於經由此種輻射控制電能之半導體元件者(僅與一個或多個電光源於結構上相結合的輻射敏感元件見31/14;光導向裝置與光電元件之耦合件見G02B6/42)[2]
H01L 27/142能量轉換裝置(光伏模組或包含整合旁路二極體或直接連接裝置的單一光伏電池陣列見H01L 31/0443;在同一基底上沉積多層薄膜太陽能電池所組成之光伏模組見H01L31/046 ) [5,2014.01]
H01L 27/144由輻射控制的裝置 [5]
H01L 27/146圖像結構 [5]
H01L 27/148電荷耦合圖像裝置 [5]
H01L 27/15包括有用於光發射且至少有一個電位能障或表面能障之半導體元件者[2]
H01L 27/16包括含有或不含有不同材料結點之熱電元件者;包括有熱磁元件者(僅將Peltier效應用於半導體或其他固態裝置進行冷卻者見23/38)[2]
H01L 27/18包括有呈現超導性之元件者[2]
H01L 27/20包括有壓電元件者;包括有電致伸縮元件者;包括有磁致伸縮元件者;包括有適宜作機電傳感器用之半導體元件者(適用於電通訊技術之機電傳感器見H04R)[2,7]
H01L 27/22包括有利用電-磁效應之元件者,如霍爾效應;應用類似磁場效應者 [2]
H01L 27/24包括無電位能障或表面能障之用於整流、放大,或切換之固態元件者[2]
H01L 27/26包括有體負阻效應元件者 [2]
H01L 27/28使用有機材料或使用有機材料和其他材料之組合物作為主動部件 [8]
H01L 27/30專門適用於感應紅外線輻射,光,較短波長的電磁輻射或微粒輻射的元件;專門適用於將輻射能轉換為電能,或是專門適用於通過這些輻射進行電能控制的元件[8]
H01L 27/32專門適用於光發射的元件,例如使用有機發光二極體的平面顯示器 [8]
H01L 29/00適用於整流、放大、振盪、或切換,或電容器,或電阻器的半導體裝置,其至少有一個電位能障或表面能障,例如PN接合空乏層或載子集聚層;半導體或其電極之零部件(31/00至47/00,51/05優先;適用於製造或處理此等元件或其部件之方法或裝置21/00;非半導體或其電極之零部件23/00;由在一共同基片內或其上形成的複數固態元件構成之裝置見27/00;一般電阻器見H01C;一般電容器見H01G)[2,6]
H01L 29/02按其半導體本體之特徵而區分者 [2]
H01L 29/04按其晶體結構而區分者,例如:多晶者,立方體者,晶面特殊取向者(有缺陷者見29/30)[2]
H01L 29/06按其形狀而區分者;按各半導體區域之形狀,相對尺寸,或配置區分者 [2]
H01L 29/08具有連接至一個通有欲整流,放大,或切換的電流之電極上之半導體區域者,且此種電極亦為包含三個或更多個電極之半導體裝置之部分者 [2]
H01L 29/10具有連接至一個不通有欲整流,放大,或切換的電流之電極上之半導體區域者,且此種電極亦為包含三個或更多個電極之半導體裝置之部分者 [2]
H01L 29/12按其構成材料之特徵而區分者 [2]
H01L 29/15具有周期的或準周期的電位變化構造,例如複合量子井,超晶格(應用於光控制的這種結構見G02F 1/1017,應用於半導體雷射見 H01S 5/34) [6]
H01L 29/16除摻雜材料或其他雜質外,僅包括以游離態存在的周期表內第四族元素者 [2]
H01L 29/161包括列入29/16目內之兩種或更多種元素者 [2]
H01L 29/165於不同半導體區域內者 [2]
H01L 29/167進一步按摻雜材料的特徵而區分者 [2]
H01L 29/18除摻雜材料或其他雜質外,僅包括硒或碲的 [2]
H01L 29/20除摻雜材料或其他雜質外,僅包含AⅢBⅤ化合物 [2,6]
H01L 29/201包括兩種或更多種化合物者 [2]
H01L 29/205於不同半導體區域內者 [2]
H01L 29/207進一步按摻雜材料之特徵而區分者 [2]
H01L 29/22除摻雜材料或其他雜質外,僅包括AⅡBⅥ化合物者 [2]
H01L 29/221包括兩種或更多種化合物者 [2]
H01L 29/225於不同半導體區域內者 [2]
H01L 29/227進一步按摻雜材料之特徵而區分者 [2]
H01L 29/24除摻雜材料或其他雜質,僅包括未列入29/16,29/18,29/20,29/22各目內之半導體材料者(含有有機材料見51/00) [2]
H01L 29/26除摻染雜料或其他雜質外,僅包括列入29/16,29/18,29/20,29/22,29/24各目中兩目或更多個目內之元素者 [2]
H01L 29/267於不同半導體區域內者[2]
H01L 29/30按物理缺陷之特徵而區分者;具有光澤表面或粗糙表面者 [2]
H01L 29/32缺陷於半導體體內者 [2]
H01L 29/34缺陷於半導體表面者 [2]
H01L 29/36按雜質之濃度或分布特徵而區分者 [2]
H01L 29/38以列入29/04,29/06,29/12,29/30,19/36各目內兩目或更多個目所給予的特徵之組合為特點而區分者 [2]
H01L 29/40按其電極特徵而區分者 [2]
H01L 29/41以其形狀,相對大小或配置為特徵 [6]
H01L 29/417攜帶被整流、放大或切換之電流 [6]
H01L 29/423未攜帶被整流、放大或切換之電流 [6]
H01L 29/43以形成的材料為特徵 [6]
H01L 29/45電阻性電極 [6]
H01L 29/47蕭特基障壁電極 [6]
H01L 29/49金屬-絕緣體半導體電極 [6]
H01L 29/51和絕緣材料相結合 [6]
H01L 29/66按其工作特徵而區分者 [2]
H01L 29/68僅能透過對一個不通有欲整流、放大,或切換的電流之電極供給電流或施加電位始進行控制者 [2]
H01L 29/70雙極裝置 [2]
H01L 29/72連續可控者 [2]
H01L 29/73電晶體 [5]
H01L 29/732縱型電晶體 [6]
H01L 29/735橫型電晶體 [6]
H01L 29/737異質接面電晶體[6]
H01L 29/739以場效應來控制 [6]
H01L 29/74閘流體,如具有四區再生作用的[2]
H01L 29/744閘切斷裝置[6]
H01L 29/745以場效應來切斷[6]
H01L 29/747雙向裝置,如交流矽控閘流體(triacs) [2]
H01L 29/749以場效應來切斷[6]
H01L 29/76單極裝置 [2]
H01L 29/762電荷傳送裝置 [6]
H01L 29/765電荷耦合裝置 [6]
H01L 29/768以絕緣閘來產生場效應 [6]
H01L 29/772場效應電晶體 [6]
H01L 29/775具有一唯帶電載子氣體通道,例如量子線FET [6]
H01L 29/778具有二唯帶電載子氣體通道,例如HEMT [6]
H01L 29/78由絕緣閘產生場效應者 [2]
H01L 29/786薄膜電晶體 [6]
H01L 29/788帶有浮閘者 [5]
H01L 29/792具有電荷捕獲閘絕緣體;例如,MNOS儲存電晶體 [5]
H01L 29/80由PN介面或其他整流介面閘產生場效應者 [ [2]
H01L 29/808具有PN介面閘[5]
H01L 29/812具有肖特基閘 [5]
H01L 29/82能夠經由改變加於裝置之磁場進行控制者(29/96優先)[2,6]
H01L 29/84能夠經由外加機械力,例如壓力之變化進行控制者(29/96優先)[2,6]
H01L 29/86非可控者;僅能透過對一個或多個通有被整流,放大、振盪、或切換的電流之電極供給電流之變化或施加電位之變化始進行控制者 [2]
H01L 29/8605具有PN介面的電阻器 [6]
H01L 29/861二極體 [6]
H01L 29/862點接觸二極體 [6]
H01L 29/864過渡時間二極體,例如IMPATT,TRAPATT二極體 [6]
H01L 29/866齊納二極體 [6]
H01L 29/868PIN二極體 [6]
H01L 29/87閘流器二極體,例如蕭特基二極體,穿通二極體 [6]
H01L 29/872蕭特基二極體 [6]
H01L 29/88隧道二極管 [2]
H01L 29/885江崎二極體 [6]
H01L 29/92有電位能障壘或表面能障之電容器[2]
H01L 29/93電容量可變之二極體,如變容二極體 [2]
H01L 29/94金屬-絕緣體-半導體,例如,MOS [2]
H01L 29/96可用列入29/68,29/82,29/84,29/86各目中至少兩個目內之方法進行控制者 [2]
H01L 31/00對紅外輻射,光,較短波長之電磁輻射,或微粒輻射敏感者,且適用於將此種輻射能轉換為電能者,或適用於通過此種輻射進行電能控制之半導體裝置;製造或處理此等半導體裝置或其部件所特有的方法或裝置;此等半導體裝置之零部件(51/42優先;由在一共同基片內或其上形成的多個固態元件構成者,而非為由帶有一個或多個電光源輻射敏感元件組合而成之裝置見27/00;覆蓋屋頂面之能量收集裝置見E04D 13/18;利用太陽能產生熱者見F24J 2/00;用半導體偵測器測量X輻射、伽馬輻射、微粒輻射或宇宙輻射者見G01T 1/26;用
H01L 31/02零部件 [2]
H01L 31/0203容器;密封(光伏裝置見31/048;有機光感測裝置見51/44)[5,2014.01]
H01L 31/0216塗層 (31/041優先)[5,2014.01]
H01L 31/0224電極 [5]
H01L 31/0232與該裝置有關的光學元件或設備(31/0236優先;光伏電池見31/054;光伏模組見H02S 40/20) [5,2014.01]
H01L 31/0236特殊表面結構 [5]
H01L 31/024冷卻、加熱、通風或溫度補償設備(光伏裝置見31/052) [5,2014.01]
H01L 31/0248以其半導體本體為特徵者 [5]
H01L 31/0256以材料為特徵者 [5]
H01L 31/0264無機材料 [5]
H01L 31/0272硒或碲 [5]
H01L 31/028除摻雜或其他雜質外,僅包含周期表Ⅳ族元素 [5]
H01L 31/0288以摻雜材料為特徵者[5]
H01L 31/0296除摻雜或其他雜質外,僅包含Ⅱ-Ⅳ化合物者,如CdS、ZnS、HgCdTe [5]
H01L 31/0304除摻雜或其他雜質外,僅包含Ⅲ-Ⅴ化合物者 [5]
H01L 31/0312除摻雜或其他雜質外,僅包含AⅣBⅣ化合物者,如SiC [5]
H01L 31/032除摻雜或其他雜質外,僅包含未列入31/0272至31/0312各目之化合物[5]
H01L 31/0328除摻雜或其他雜質外,包含已列入31/0272至31/032目內兩目或更多個目之半導體材料 [5]
H01L 31/0336於不同半導體區域者,如Cu2X/CdX異質介面,X為周期表內之Ⅵ族元素 [5]
H01L 31/0352以其形狀或以多個半導體區域之形狀、相關尺寸或配置為特徵者 [5]
H01L 31/036以其晶體結構或以結晶面之特殊取向為特徵者 [5]
H01L 31/0368包含多晶半導體者(31/0392優先)[5]
H01L 31/0376包含非晶半導體者(31/0392優先)[5]
H01L 31/0384包含其他非單晶材料者,如埋入絕緣材料內之半導體顆粒(31/0392優先)[5]
H01L 31/0392包含澱積於金屬或絕緣體基板上之薄膜 [5]
H01L 31/04用作光伏(PV)轉換裝置者(製造期間之測試見21/66;製造後之測試見H02S 50/10 [2,2014.01]
H01L 31/041避免微粒輻射造成損壞的防護,例如,空間應用[2014.01]
H01L 31/042光伏模組或單一光伏電池陣列(光伏模組支援結構見H02S 20/00) [5,2014.01]
H01L 31/043與光伏電池物理上的堆疊[2014.01]
H01L 31/044包含旁路二極體(在接面盒的旁路二極體見H02S 40/34)[2014.01]
H01L 31/0443包含整合旁路二極體或直接連接裝置,例如,整合旁路二極體或者在相同基座內或上形成的光伏電池[2014.01]
H01L 31/0445包含薄膜太陽能電池,例如,單一薄膜非晶矽(a-Si)、幾何異構(CIS)、碲化鎘(CdTe)太陽能電池[2014.01]
H01L 31/045(轉見H02S 30/20)
H01L 31/046在同一基座上沉積多層薄膜太陽能電池所組成之光伏模組[2014.01]
H01L 31/0463在模組中以特殊圖案化方法連接光伏電池為特徵,例如,傳導或主動層的雷射切割[2014.01]
H01L 31/0465在模組中包含電性連接相鄰光伏電池的特殊結構(31/0463優先)[2014.01]
H01L 31/0468包含獲得平行光傳輸通過模組的特殊方法,例如,部分透明的薄膜太陽能模組視窗[2014.01]
H01L 31/047在半導體基座形成多個垂直接面或V槽接面的光伏電池陣列[2014.01]
H01L 31/0475以平板製造光伏電池陣列,例如,單一半導體基座上反覆的結構;光伏電池微陣列(在同一基座上沉積多層薄膜太陽能電池所組成之光電模組見31/046)[2014.01]
H01L 31/048模組的密封[5,2014.01]
H01L 31/049保護的背蓋[2014.01]
H01L 31/05光伏模組內光伏電池之間的電性連接方法,例如,光伏電池的串連連接(電極見31/0224;同一基座上薄膜太陽能電池的電性連接見31/046;模組內相鄰薄膜太陽能電池特殊結構的電性連接見31/0465;二個或以上的光伏模組使用的特殊電性連接方法見H02S 40/36) [5,2014.01]
H01L 31/052與光伏電池直接連接或整合的冷卻方法,例如,整合Peltier元件直接連接光伏電池以主動冷卻或使熱降低(結合光伏模組的冷卻方法見H02S 40/42) [5,2014.01]
H01L 31/0525包含直接連接光伏電池以利用熱能量的方法,例如,整合Seebeck元件[2014.01]
H01L 31/053直接連接或整合光伏電池的能量儲存方法,例如,整合電容與光伏電池(連接光伏模組的能量儲存方法見H02S 40/38)[2014.01]
H01L 31/054直接連接或整合光伏電池的光學元件,例如,光反射或光聚集[2014.01]
H01L 31/055使用光學元件直接連接或整合光伏電池將光吸收且以不同波長再發射,如發光材料,螢光的集光體或轉換配置[5,2014.01]
H01L 31/056背表面反射器(BSR)型態的光反射方法[2014.01]
H01L 31/058(轉見31/0525, H02S 40/44)
H01L 31/06特點在於至少有一個電位障或表面能障者[2]
H01L 31/061僅係點接觸型電位障者(31/07優先) [2012.01]
H01L 31/062僅係金屬-絕緣體-半導體型能障者 [2]
H01L 31/065僅係帶寬漸變型能障者 [5]
H01L 31/068僅係PN單質介面型能障者[5]
H01L 31/0687複結或串接太陽能電池 [2012.01]
H01L 31/0693除摻雜材料或其他雜質外,僅包括AIIIBV 化合物的裝置,例如砷化鎵(GaAs)或磷化銦(InP)太陽能電池 [2012.01]
H01L 31/07僅係肖特基型能障者 [5]
H01L 31/072僅係PN異質介面型能障者[5]
H01L 31/0725複結或串接太陽能電池 [2012.01]
H01L 31/073僅包含AIIBVI化合物半導體,例如硫化鎘/碲化鎘(CdS/CdTe)太陽能電池 [2012.01]
H01L 31/0735僅包含AIIIBV化合物半導體,例如砷化鎵/砷化鋁鎵(GaAs/AlGaAs)或磷化銦/砷化銦鎵(InP/GaInAs)太陽能電池 [2012.01]
H01L 31/074包含具週期系第IV族元素之異質接面,例如氧化銦錫/矽(ITO/Si)、砷化鎵/矽(GaAs/Si)或碲化鎘/矽(CdTe/Si)太陽能電池 [2012.01]
H01L 31/0745包含AⅣBⅣ之異質接面,例如矽/鍺(Si/Ge)、矽鍺/矽(SiGe/Si)或矽/碳化矽(Si/SiC)太陽能電池 [2012.01]
H01L 31/0747包含結晶與非晶材料的異質接面,例如薄本質層異質接面或HIT®太陽能電池 [2012.01]
H01L 31/0749包含AIBIIICVI 化合物,例如硫化鎘/二硒化銅銦[CIS](CdS/CuInSe2)異質接面太陽能電池 [2012.01]
H01L 31/075僅係PIN型能障者 [5]
H01L 31/076複結或串接太陽能電池 [2012.01]
H01L 31/077包含單晶或多晶材料的裝置 [2012.01]
H01L 31/078包含已列入31/062至31/075目內兩目或更多目之能障 [5]
H01L 31/08其中的輻射控制通過該裝置之電流者,如光敏電阻器 [2]
H01L 31/09對紅外、可見或紫外輻射敏感的裝置(31/101優先)[5]
H01L 31/10特點在於至少有一個電位能障或表面能障者,如光敏電晶體 [2]
H01L 31/101對紅外,可見或紫外輻射敏感的裝置 [5]
H01L 31/102僅以一個能障或面障為特徵者 [5]
H01L 31/103為PN單質介面型能障者[5]
H01L 31/105為PIN型能障者 [5]
H01L 31/107以雪崩模式工作之能障,如雪崩光二極體[5]
H01L 31/108為肖特基型能障者 [5]
H01L 31/109為PN異質介面型能障者[5]
H01L 31/11以兩個勢障或面障為特徵者,如雙極光晶體管 [5]
H01L 31/111以至少三個能障為特徵者,如光敏晶體閘流體[5]
H01L 31/112以場效應工作為特徵者,如介面型場效應光敏電晶體[5]
H01L 31/113為導體-絕緣體-半導體型者,如金屬-絕緣體-半導體場效應電晶體[5]
H01L 31/115對短波長,如X射線、γ射線或微粒子輻射敏感之裝置 [5]
H01L 31/117體效應輻射探測器型者,如Ge-Li補償PINγ射線探測器 [5]
H01L 31/118面障或淺PN介面型者,如面障γ粒子探測器 [5]
H01L 31/119以場效應工作為特徵者,如MIS型探測器 [5]
H01L 31/12與一個或多個電光源,如場致發光光源,於結構上相連者,如於一公共基板之內或上形成者,並與其電光源於電氣上或光學上相耦合者(具有至少一個適於光發射之能障或面障之半導體裝置見33/00;應用場致發光元件及光電池之放大器見H03F17/00;場致發光光源本身見H05B33/00)[2,5]
H01L 31/14由對輻射敏感之半導體裝置控制的單光源或多光源,如圖像變換器,圖像放大器,圖像存儲裝置 [2]
H01L 31/147對輻射敏感之光源及裝置,均為以至少一個能障或面障為特徵之半導體裝置 [5]
H01L 31/153於一個公共基板之內或上形成者 [5]
H01L 31/16由單光源或多光源控制且對輻射敏感之半導體裝置 [2]
H01L 31/167對輻射敏感之光源或裝置,均為以至少一個能障或面障為特徵之半導體裝置 [5]
H01L 31/173於一個公共基板之內或上形成者 [5]
H01L 31/18製造或處理此等裝置或其部件所特有的方法或設備(非特有的方法或設備見21/00)[2]
H01L 31/20包含非晶半導體材料之裝備及裝備之部件 [5]
H01L 33/00至少有一個電位能障或表面能障之適用於光發射,如紅外線發射之半導體裝置;製造或處理此等半導體裝置或其部件所特有之方法或設備;此等光導體裝置之零部件(H01L 51/50優先;由一個公共基板中或其上形成的多個組件組成的元件見27/00;光導與光電子元件之耦合見G02B6/42;半導體雷射器見H01S 5/00;場效發光光源本身見H05B33/00)[2,8]
H01L 33/02特徵在於半導體本體[2010.01]
H01L 33/04其有量子效應結構或超晶格,如穿隧接面 [2010.01]
H01L 33/06於光發射區域內者,如量子侷限結構或穿隧能障 [2010.01]
H01L 33/08其有多個發光區域,如於半導體本體裡的側向不連續光發射層或光致發光區(27/15優先)[2010.01]
H01L 33/10其有光反射結構,如半導體布拉格反射器 [2010.01]
H01L 33/12其有應力鬆弛結構,如緩衝層[2010.01]
H01L 33/14其有載子傳輸控制結構,如重摻雜之半導體層或電流阻擋結構[2010.01]
H01L 33/16其有特殊的晶格結構或晶格方向,如多晶、非晶或多孔[2010.01]
H01L 33/18於光發射區域內者[2010.01]
H01L 33/20有特殊的形狀,如彎曲的或截斷的基板[2010.01]
H01L 33/22粗糙化的表面,如磊晶層之間的界面[2010.01]
H01L 33/24光發射區域者,如非平面接面[2010.01]
H01L 33/26光發射區域的材料[2010.01]
H01L 33/28僅包含週期表第II族與第VI族之元素[2010.01]
H01L 33/30僅包含週期表第III族與第V族之元素 [2010.01]
H01L 33/32含氮[2010.01]
H01L 33/34僅包含週期表中第IV族之元素 [2010.01]
H01L 33/36特徵在於電極[2010.01]
H01L 33/38其有特殊的形狀[2010.01]
H01L 33/40其所用的材料[2010.01]
H01L 33/42透明的材料[2010.01]
H01L 33/44特徵在於塗層,如保護層或抗反射塗層[2010.01]
H01L 33/46反射塗層,如介電布拉格反射器 [2010.01]
H01L 33/48特徵在於半導體本體的封裝 [2010.01]
H01L 33/50波長轉換裝置[2010.01]
H01L 33/52密封[2010.01]
H01L 33/54其有特殊的形狀[2010.01]
H01L 33/56材料,如環氧樹脂或矽氧樹脂[2010.01]
H01L 33/58光場成形裝置[2010.01]
H01L 33/60反射裝置[2010.01]
H01L 33/62用於向或自半導體本體通電之裝置,例如引線架、引線接合或錫球[2010.01]
H01L 33/64排熱或冷卻裝置 [2010.01]
H01L 35/00包含有一個不同材料結點之熱電裝置,即:呈現或帶有或不帶有其他熱電效應或其他熱磁效應之Seebeck效應或Peltier效應之熱電裝置;製造或處理此等熱電裝置或其部件所特有的方法或設備;此等熱電裝置之零部件(由一共用基片內或其上形成之多個固態元件組成的裝置見27/00;應用電或磁效應之冷凍機器見F25B21/00;應用熱電或熱磁元件之溫度計見G01K7/00;由放射源內獲取能量者見G21H)[2]
H01L 35/02零部件 [2]
H01L 35/04結點之結構零部件;引線之連接 [2]
H01L 35/06可拆開者,如應用一個彈簧者 [2]
H01L 35/08不可拆開者,如膠結者,燒結者,焊接者 [2]
H01L 35/10引線之連接 [2]
H01L 35/12結點引出線材料之選擇 [2]
H01L 35/14應用無機組成物者 [2]
H01L 35/16包含有碲或硒或硫者 [2]
H01L 35/18包含有砷或銻或鉍者(35/16優先)[2]
H01L 35/20僅包含有金屬者(35/16,35/18優先)[2]
H01L 35/22包含硼、碳、氧、或氮之化合物者 [2]
H01L 35/24應用有機組成物者 [2]
H01L 35/26應用連續或不連續改變材料內部成分者 [2]
H01L 35/28僅利用Peltier或Seebeck效應進行工作者 [2]
H01L 35/30依於結點處進行熱交換之方法而區分者 [2]
H01L 35/32依構成裝置之電池或熱電偶之結構或排列而區分者 [2]
H01L 35/34製造或處理此等裝置或其部件所特有的方法或設備(半導體一般製造處理見21/00)[2]
H01L 37/00無不同材料結點之見G03G5/00)[2]
H01L 37/02利用介電常數之熱變化者,如在居里點以上或以下工作者 [2]
H01L 37/04利用導磁率之熱變化者,如在居里點以上或以下工作者 [2]
H01L 39/00應用超導電性之裝置;製造或處理此等裝置或其部件所特有的方法或設備(由在一共用基片內或其上形成之多個固體元件組成的裝置見27/00;按陶瓷形成的技術或陶瓷組合物性質區分的超導體見C04B 35/00;超導體,超體電纜或傳輸線見H01B12/00;超導線圈或繞組見H01F;利用超導電性之放大器見H03F19/00)[2,4]
H01L 39/02零部件 [2]
H01L 39/04容器;安裝架 [2]
H01L 39/06接電流通路而區分者 [2]
H01L 39/08按元件之外形而區分者 [2]
H01L 39/10按切換之方法而區分者 [2]
H01L 39/12按材料而區分者 [2]
H01L 39/14永久超導體裝備 [2]
H01L 39/16於超導電及正常導電狀態之間可切換的裝置 [2]
H01L 39/18冷子管 [2]
H01L 39/20功率冷子管 [2]
H01L 39/22包含有一個不同材料結點之裝置,如左舍生效應裝置 [2]
H01L 39/24製造或處理列入39/00目內之裝置或其部件所特有的方法或設備(一般半導體製造或處理見21/00;從其他材料分離出超導材料的磁性分離,如用邁斯納效應的見 B03C 1/00)[2]
H01L 41/00壓電裝置;電致伸縮裝置;磁致伸縮裝置;製造或處理此等裝置或其部件所特有的方法或設備;此等裝置之零部件(由在一共用基片內或其上形成的多個固態元件組成之裝置見27/00) [2,2013.01]
H01L 41/02零部件 [2]
H01L 41/04壓電裝置或電致伸縮裝置者[2]
H01L 41/047電極 [6]
H01L 41/053安裝架,支撐架,封裝或外殼[6]
H01L 41/06磁致伸縮裝置者 [2]
H01L 41/08壓電裝置或電致伸縮裝置 [2]
H01L 41/083具有疊積或多層構造 [6]
H01L 41/087形成同軸電纜 [6]
H01L 41/09具有電輸入與機械輸出者 [5]
H01L 41/107具有電輸入與電輸出者 [5]
H01L 41/113具有機械輸入與電輸出者 [5]
H01L 41/12磁致伸縮裝置 [2]
H01L 41/16材料之選擇 [2]
H01L 41/18用於壓電裝置或電致伸縮裝置者 [2]
H01L 41/187陶瓷組成物 [5]
H01L 41/193高分子組成物 [5]
H01L 41/20用於磁致伸縮裝置者 [2]
H01L 41/22製造或處理壓電裝置或電致伸縮裝置或其部件所特有的組裝方法或設備 [2,2013.01]
H01L 41/23形成外殼或閉合體 [2013.01]
H01L 41/24(轉見41/39, 41/47)
H01L 41/25包含壓電或電致伸縮部件的組裝裝置 [2013.01]
H01L 41/253處理壓電或電致伸縮部件或裝置特性的修正,如偏振特性,振動特性或模式調諧 [2013.01]
H01L 41/257偏振 [2013.01]
H01L 41/26(轉見41/45)
H01L 41/27製造雙層壓電裝置或電致伸縮裝置或其部件,如壓電疊層體和電極 [2013.01]
H01L 41/273由積體燒結的壓電或電致伸縮體和電極 [2013.01]
H01L 41/277通過堆疊散裝的壓電或電致伸縮機構和電極 [2013.01]
H01L 41/29形成電極,引線或端子的方法 [2013.01]
H01L 41/293壓電或電致伸縮部件的電極連接 [2013.01]
H01L 41/297單層電極或雙層壓電或電致伸縮部件 [2013.01]
H01L 41/31適用於壓電或電致伸縮部件或本體上的電元件或其他基體 [2013.01]
H01L 41/311使壓電或電致伸縮部件固定於半導體元件或電路元件 [2013.01]
H01L 41/312通過層壓或粘合的壓電或電致伸縮機構 [2013.01]
H01L 41/313金屬熔化或用粘合劑 [2013.01]
H01L 41/314通過沉積壓電或電致伸縮層,例如,氣溶膠或絲網印刷[2013.01]
H01L 41/316通過汽相澱積 [2013.01]
H01L 41/317液相沉積 [2013.01]
H01L 41/318採用溶膠 - 凝膠沉積 [2013.01]
H01L 41/319使用中間層,如生長控制 [2013.01]
H01L 41/33壓電或電致伸縮體的形成或加工 [2013.01]
H01L 41/331使用光罩的塗層或沉積,如剝離 [2013.01]
H01L 41/332通過蝕刻,例如光刻 [2013.01]
H01L 41/333成型或擠出成型 [2013.01]
H01L 41/335通過加工 [2013.01]
H01L 41/337通過拋光或研磨 [2013.01]
H01L 41/338通過裁剪或切割 [2013.01]
H01L 41/339由沖壓 [2013.01]
H01L 41/35形成壓電或電致伸縮材料[2013.01]
H01L 41/37複合材料 [2013.01]
H01L 41/39無機材料 [2013.01]
H01L 41/41通過熔化 [2013.01]
H01L 41/43由燒結 [2013.01]
H01L 41/45有機材料 [2013.01]
H01L 41/47製造或處理此等磁致伸縮裝置或部件組裝所特有的方法或設備[2013.01]
H01L 43/00應用電-磁或者類似磁效應之裝置;製造或處理此等裝置或其部件所特有之方法或設備(由在一共用基片內或其上形成之多個固態元件組成的裝置見27/00;帶有電位能障或表面能障者,通過磁場之變化可以進行控制的裝置見29/82)[2]
H01L 43/02零部件 [2]
H01L 43/04霍爾效應裝置者 [2]
H01L 43/06霍爾效應裝置 [2]
H01L 43/08磁場控制之電阻器 [2]
H01L 43/10材料之選擇 [2]
H01L 43/12製造或處理此等裝置或其部件所特有之方法或設備(對此非特有的方法或設備見21/00)[2]
H01L 43/14用於霍爾效應裝置者 [2]
H01L 45/00無電位能障或表面能障者、適用於整流、放大、振盪、或切換之固態裝置,如介電三極體;奧弗辛斯基效應裝置;製造或處理此等裝置或其部件所特有的方法或設備(由在一共用基片內或其上形成之多個固態元件組成的裝置見27/00;應用超導電性之裝置見39/00;壓電裝置見41/00;體負阻效應裝置見47/00)[2]
H01L 45/02固態行波裝置 [2]
H01L 47/00體負阻效應裝置,如剛氏效應裝置;製造或處理此等裝置或其部件所特有的方法或設備(由在一共用基片內或其上形成之多個固態元件組成的裝置見27/00)
H01L 47/02剛氏效應裝置 [2]
H01L 49/00未列入27/00至47/00各目內且未列入任何其他次類之固體裝置;製造或處理此等裝置或其部件所特有之方法或設備(由在一共用基片內或其上形成之多個固態元件組成之裝置見27/00)[2]
H01L 49/02薄膜或厚膜裝置 [2]
H01L 51/00使用有機材料或其與其他材料的組合務作為主動部分的固態裝置;專門適用於處理這些元件或其部件的技術方法或設備( 由一個公共的基片中或其上形成的多個元件組成的裝置見 H01L 27/28;使用有機材料的電熱裝置見 H01L 35/00,H01L 37/00;使用有機材料的壓電,電致伸縮元件見H01L 41/00)[6,8]
H01L 51/05專門用於整流,放大,震盪或切換且至少有一個電位陡漲能障或表面能障的;具有一個電位陡漲能障或表面能障的電容器或電阻器 [8]
H01L 51/10器件的零部件 [6]
H01L 51/30材料的選擇 [6]
H01L 51/40特別適用於裝置或其部件處理的方法或裝置 [6,8]
H01L 51/42專門適用於感應紅外線輻射,光,較短波長的電磁波或微粒輻射;專門適用於將這些輻射能轉換為電能,或者適用於透過輻射進行電能控制 [8]
H01L 51/44元件的零部件 [8]
H01L 51/46材料的選擇 [8]
H01L 51/48專門適用於製造或處理元件或其部件的方法或設備[8]
H01L 51/50專門用於光發射,如有機發射二極體(OLED)或聚合物發光裝置(PLED)(有機半導體雷射見H01S 5/36) [8]
H01L 51/52元件的零部件 [8]
H01L 51/54材料的選擇(有機發光材料見C09K 11/06 ) [8]
H01L 51/56專門適用於製造或處理元件或其部件的方法或設備[8]
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