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C 化學;冶金;組合化學
C23 對金屬材料之鍍覆;用金屬材料對材料之鍍覆(紡織品之金屬化見D06M11/83;用局部金屬化法裝飾紡織品見D06Q1/04);表面化學處理;金屬材料之擴散處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沈積法之一般鍍覆(作特殊應用者,見有關位置,例如用於電阻器製造見H01C17/06);金屬材料腐蝕或積垢之一般抑制(用電解法或電泳法處理金屬表面或鍍覆金屬見C25D、F)[2]
C23C 對金屬材料之鍍覆;用金屬材料對材料之鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法之金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沈積法之一般鍍覆(於表面上使用液體或其他流體材料之一般塗覆見B05;擠壓法製造包覆金屬之產品見B21C 23/22;通過將預先存在的薄層連接至製品上之方法用金屬進行鍍覆處理者見各有關位置。例如B21D39/00,B23K;採用電極並通過作用於工件之高密度電流加工金屬見B23H;玻璃之金屬化見C03C;砂漿,混凝土,人造石,陶瓷或天然石之金屬化見C04B 41/00;塗料、合成漆
C23C 16/00經由氣態化合物分解且表面反應產物不留存於鍍層內之化學鍍覆,例如化學氣相沈積工藝(CVD)(反應濺射或真空蒸發見14/00)[4]
C23C 16/01在臨時受質上,例如在隨後以蝕刻去除之受質上 [7]
C23C 16/02待鍍材料之預處理(16/04優先)[4]
C23C 16/04局部表面上之鍍覆,例如使用光罩者 [4]
C23C 16/06以金屬材料之沈積為特徵者 [4]
C23C 16/22以沈積金屬材料以外之無機材料為特徵者 [4]
C23C 16/44以鍍覆方法為特徵者(16/04優先)[4]
C23C 16/56後處理 [4]
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