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C 化學;冶金;組合化學
C23 對金屬材料之鍍覆;用金屬材料對材料之鍍覆(紡織品之金屬化見D06M11/83;用局部金屬化法裝飾紡織品見D06Q1/04);表面化學處理;金屬材料之擴散處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沈積法之一般鍍覆(作特殊應用者,見有關位置,例如用於電阻器製造見H01C17/06);金屬材料腐蝕或積垢之一般抑制(用電解法或電泳法處理金屬表面或鍍覆金屬見C25D、F)[2]
C23F 非機械方法去除表面上之金屬材料(電浸蝕法加工金屬見B23H;火焰法清除表層金屬材料見B23K7/00;用雷射束加工金屬見B23K26/00;;除去表面材料法產生裝飾效果,例如鏤蝕法、蝕刻法,見B44C1/22;電解蝕刻或拋光見C25F);金屬材料之緩蝕;一般防積垢;至少一種於C23主類內所列的方法及至少一種於C21D或C22F次類或者C25主類內所列的方法之多步法金屬材料表面處理(在烴類的加工過程中的抑制腐蝕或防污垢見C10G 7/10、C10G 9/16、C10G 75/00)[4]
C23F 1/00金屬材料之化學法蝕刻(製作印刷表面見B41C;製作印刷線路見H05K)[2]
C23F 1/02局部蝕刻
C23F 1/06使銼刀銳利
C23F 1/08裝置,如照相印刷製板裝置(照相複印見G03F)
C23F 1/10蝕刻用組合物(1/44優先)[4]
C23F 1/44由一種不同成分之金屬材料基體上蝕刻金屬材料之組合物 [4]
C23F 1/46蝕刻組合物之再生 [4]
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