IPC國際專利分類查詢
共23筆資料
| C | 化學；冶金；組合化學 |
|---|---|
| C30 | 晶體生長（一般結晶法分離見B01D9/00）[3] |
| C30B | 晶體生長（用超高壓者，例如用於金剛石形成者見B01J3/06）；共晶材料之定向凝固或共析材料之定向分層；材料之區熔精煉（金屬或合金之區熔精煉見C22B）；具有一定結構的均勻多晶材料之製備（金屬鑄造，其他物質按同樣工藝或裝置之鑄造見B22D；塑膠之加工見B29；改變金屬或合金之物理結構見C21D，C22F）；單晶或具有一定結構之均勻多晶材料；單晶或具有一定結構之均勻多晶材料之後處理（用於半導體裝置或元件生產者見H01L）；其所用的裝置 [3] |
| C30B 1/00 | 直接自固體之單晶生長（共析材料之定向分層者見3/00；於保護流體下者見27/00）[3] |
| C30B 3/00 | 共析材料之定向分層 [3] |
| C30B 5/00 | 自凝膠之單相生長（在保護流體下者見27/00）[3] |
| C30B 7/00 | 自常溫液態溶劑之溶液，例如水溶液之單晶生長（自熔融溶劑者見9/00；用正常凝固法或溫度梯度凝固法者見11/00；於保護流體下者見27/00）[3] |
| C30B 9/00 | 自使用熔融態熔劑之溶體的單晶生長（用正常凝固法或溫度梯度凝固法者見11/00；用區域熔融法者見13/00；晶體提拉法見15/00；於浸入的晶種上者見17/00；液相外延生長法見19/00；於保護流體下者見27/00）[3] |
| C30B 11/00 | 正常凝固法或溫度梯度凝固法之單晶生長，例如Bridgman-Stockbarger法（13/00，15/00，17/00，19/00優先；於保護流體下者見27/00）[3] |
| C30B 13/00 | 區域熔融法單晶生長；區域熔融法精煉（117/00優先；改變所處理固體之橫截面者見15/00；在保護流體下者見27/00；具有一定結構之均勻多晶材料的生長見28/00；特定材料之區域精煉，見該材料之相應次類）[3,5] |
| C30B 15/00 | 熔融液提拉法之單晶生長，例如Czochralski法（於保護流體下者見27/00）[3] |
| C30B 17/00 | 生長期間種晶保留於熔融液內之單晶生長，例如Necken-Kyropoulos法（15/00優先） |
| C30B 19/00 | 液相外延層生長 [3] |
| C30B 21/00 | 共晶材料之定向凝固 [3] |
| C30B 23/00 | 冷凝氣化物或材料揮發法之單晶生長 [3] |
| C30B 25/00 | 反應氣體化學反應法之單晶生長，例如化學氣相沉積生長 [3] |
| C30B 27/00 | 保護流體下之單晶生長 [3] |
| C30B 28/00 | 製備具有一定結構之均勻多晶材料 [5] |
| C30B 29/00 | 以材料或形狀為特徵的單晶或具有一定結構之均勻多晶材料（合金見C22）[3,5] |
| C30B 30/00 | 利用電場，磁場，波能或其他特定物理條件之作用為特徵以製備單晶或具有一定結構的均勻多晶材料 [5] |
| C30B 31/00 | 單晶或具有一定結構之均勻多晶材料之擴散或摻雜工藝；其所用裝置 [3,5] |
| C30B 33/00 | 單晶或具有一定結構的均勻多晶材料之後處理（31/00優先；研磨、拋光見B24；寶石類、晶體之機械精加工見B28D5/00）[3,5] |
| C30B 35/00 | 單晶或具有一定結構的均勻多晶材料之生長、製備、或後處理專用的一般裝置 [3,5] |