IPC國際專利分類查詢
共19筆資料
| H | 電學 |
|---|---|
| H01 | 基本電氣元件 |
| H01L | 半導體裝置；其他類目未包括的電固體裝置（半導體晶片之輸運系統見B65G49/07；半導體裝置於測量方面之應用見G01；一般掃描探針設備的零部件見 G12B ; 一般電阻器見H01C；磁體，電感器，變壓器見H01F；一般電器見H01G；電解裝置見H01G9/00；電池組，蓄電池見H01M；導波管，導波管之諧振器或導波型線路見H01P；線路連接器，匯流器見H01R；受激發射裝置見H01S；機電諧振器見H03H；用於電通信之機電傳感器見H04R；一般電光源見H05B；印刷電路，混合電路，電設備之結構零部件或外殼 |
| H01L 21/00 | 適用於製造或處理半導體或固體裝置或部件之方法或設備（儘限用於製造或處理列入31/00至51/00各目之裝置及其部件之方法或設備見上述各組，列入其他次類之單工序工藝方法各見有關次類，如C23C、C30B；花紋面或表面圖形之照相製版，其材料或原版及專用設備，一般見G03F）[2,8] |
| H01L 23/00 | 半導體或其他固體裝置之零部件（25/00優先）2,5] |
| H01L 25/00 | 由多數單個半導體或其他固體裝置組成之組裝件（於一共同基片內或其上形成由多個固體元件組成的裝置見27/00；光電池組裝件見31/042；應用太陽電池或太陽電池板之發生器見H02N6/00；列入其他次類，如電視接收機之零部件，見有關次類之完整電路組裝件之零部件，如H04N；一般電阻件之組裝件之零部件見H05K）[2,5] |
| H01L 27/00 | 自於一共用基片內或其上形成的多個半導體或其他固體元件組成之裝置（適用於該裝置或其部件之製造或處理的方法或設備見21/70，31/00至51/00；其零部件見23/00，29/00至51/00；由多個單個固體裝置組成之組裝件見25/00；一般電元件之組裝件見H05K）[2,8] |
| H01L 29/00 | 適用於整流、放大、振盪、或切換，或電容器，或電阻器的半導體裝置，其至少有一個電位能障或表面能障，例如PN接合空乏層或載子集聚層；半導體或其電極之零部件（31/00至47/00，51/05優先；適用於製造或處理此等元件或其部件之方法或裝置21/00；非半導體或其電極之零部件23/00；由在一共同基片內或其上形成的複數固態元件構成之裝置見27/00；一般電阻器見H01C；一般電容器見H01G）[2,6] |
| H01L 31/00 | 對紅外輻射，光，較短波長之電磁輻射，或微粒輻射敏感者，且適用於將此種輻射能轉換為電能者，或適用於通過此種輻射進行電能控制之半導體裝置；製造或處理此等半導體裝置或其部件所特有的方法或裝置；此等半導體裝置之零部件（51/42優先；由在一共同基片內或其上形成的多個固態元件構成者，而非為由帶有一個或多個電光源輻射敏感元件組合而成之裝置見27/00；覆蓋屋頂面之能量收集裝置見E04D 13/18；利用太陽能產生熱者見F24J 2/00；用半導體偵測器測量X輻射、伽馬輻射、微粒輻射或宇宙輻射者見G01T 1/26；用 |
| H01L 33/00 | 至少有一個電位能障或表面能障之適用於光發射，如紅外線發射之半導體裝置；製造或處理此等半導體裝置或其部件所特有之方法或設備；此等光導體裝置之零部件（H01L 51/50優先；由一個公共基板中或其上形成的多個組件組成的元件見27/00；光導與光電子元件之耦合見G02B6/42；半導體雷射器見H01S 5/00；場效發光光源本身見H05B33/00）[2,8] |
| H01L 35/00 | 包含有一個不同材料結點之熱電裝置，即：呈現或帶有或不帶有其他熱電效應或其他熱磁效應之Seebeck效應或Peltier效應之熱電裝置；製造或處理此等熱電裝置或其部件所特有的方法或設備；此等熱電裝置之零部件（由一共用基片內或其上形成之多個固態元件組成的裝置見27/00；應用電或磁效應之冷凍機器見F25B21/00；應用熱電或熱磁元件之溫度計見G01K7/00；由放射源內獲取能量者見G21H）[2] |
| H01L 37/00 | 無不同材料結點之見G03G5/00）[2] |
| H01L 39/00 | 應用超導電性之裝置；製造或處理此等裝置或其部件所特有的方法或設備（由在一共用基片內或其上形成之多個固體元件組成的裝置見27/00；按陶瓷形成的技術或陶瓷組合物性質區分的超導體見C04B 35/00；超導體，超體電纜或傳輸線見H01B12/00；超導線圈或繞組見H01F；利用超導電性之放大器見H03F19/00）[2,4] |
| H01L 41/00 | 壓電裝置；電致伸縮裝置；磁致伸縮裝置；製造或處理此等裝置或其部件所特有的方法或設備；此等裝置之零部件（由在一共用基片內或其上形成的多個固態元件組成之裝置見27/00） [2,2013.01] |
| H01L 43/00 | 應用電－磁或者類似磁效應之裝置；製造或處理此等裝置或其部件所特有之方法或設備（由在一共用基片內或其上形成之多個固態元件組成的裝置見27/00；帶有電位能障或表面能障者，通過磁場之變化可以進行控制的裝置見29/82）[2] |
| H01L 45/00 | 無電位能障或表面能障者、適用於整流、放大、振盪、或切換之固態裝置，如介電三極體；奧弗辛斯基效應裝置；製造或處理此等裝置或其部件所特有的方法或設備（由在一共用基片內或其上形成之多個固態元件組成的裝置見27/00；應用超導電性之裝置見39/00；壓電裝置見41/00；體負阻效應裝置見47/00）[2] |
| H01L 47/00 | 體負阻效應裝置，如剛氏效應裝置；製造或處理此等裝置或其部件所特有的方法或設備（由在一共用基片內或其上形成之多個固態元件組成的裝置見27/00） |
| H01L 49/00 | 未列入27/00至47/00各目內且未列入任何其他次類之固體裝置；製造或處理此等裝置或其部件所特有之方法或設備（由在一共用基片內或其上形成之多個固態元件組成之裝置見27/00）[2] |
| H01L 51/00 | 使用有機材料或其與其他材料的組合務作為主動部分的固態裝置；專門適用於處理這些元件或其部件的技術方法或設備（ 由一個公共的基片中或其上形成的多個元件組成的裝置見 H01L 27/28；使用有機材料的電熱裝置見 H01L 35/00，H01L 37/00；使用有機材料的壓電，電致伸縮元件見H01L 41/00）[6,8] |