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H 電學
H05 其他類目不包括的電氣技術
H05H 電漿技術(離子束管見H01J27/00;磁流體發電機見H02K44/08;包含發生電漿產生X射線見H05G2/00);中子或加速的帶電粒子之產生(由放射線源內獲取中子者見G21,例如:G21B,C,G);原子射束或中性分子之產生或加速(原子鐘見G04F5/14;受激發射裝置見H01S;通過與由分子、原子、或亞原子粒子之能級所確定的基準頻率相比較而進行頻率調整者見H03L7/26)
H05H 1/00電漿之產生;電漿之控制(電漿技術在核融合反應器的應用見G21B 1/00)
H05H 3/00中性粒子束,例如:分子束或原子束,之產生或加速 [3]
H05H 5/00直流電壓加速器;應用單脈衝之加速器(3/06優先)[5]
H05H 6/00用於產生核反應之靶(靶或被輻照目標物之支架見G21K5/08)[3]
H05H 7/009/00至13/00各目包括的各種裝置之零部件(用於產生核反應之靶見6/00)[3]
H05H 9/00線性加速器(11/00優先)
H05H 11/00磁感應加速器,例如電子磁感應加速器
H05H 13/00磁共振加速器;回旋加速器
H05H 15/00其他類目不包括而用於帶電粒子加速之方法或設備 [4]
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